Transistores De Microondas
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1. Development of MEMS switch device technology MEMS - MicroelectromechanicalSystems - for RF - radio frequency - and new topologies of RF CMOS integrated circuits for radio receivers input sub-systems / Desenvolvimento de tecnologia de dispositivos chaves MEMS - MicroelectromechanicalSystems - para RF - Radio Frequencia - e novas topologias para circuitos integrados CMOS de RF em sub-sistemas de entrada de radio receptores
Este trabalho apresenta dois tópicos de pesquisa, o primeiro é referente ao projeto e desenvolvimento da tecnologia de fabricação de Chaves MEMS (Micro Electro Mechanical System) de RF e o segundo é o projeto de circuitos integrados. No que se refere a chaves MEMS, descreve-se o processo e a metodologia para projeto de Chaves MEMS paralela sobre linha d
Publicado em: 2008
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2. Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma / Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulato
Publicado em: 2007
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3. Projeto de misturador com topologia celula de Gilbert utilizando pHEMT
ormado.
Publicado em: 2002
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4. ESTUDO TEÓRICO E EXPERIMENTAL SOBRE HEMTS DE MICROONDAS / THEORETICAL AND EXPERIMENTAL STUDY ON MICROWAVE HEMTS
Neste trabalho é realizado um estudo sobre os transistores HEMT. A partir da geometria do dispositivo, espessuras e densidades de dopagem das camadas que compõem a heterojunção, são obtidas expressões analíticas para a característica IXV do componente bem como para o circuito equivalente de pequenos sinais na faixa de microondas. Posteriormente, os p
Publicado em: 1991
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5. EFFECTS OF NON-LINEARITIES OF FIELD-EFFECT TRANSISTORS IN MICROWAVE AMPLIFIERS / EFEITO DAS NÃO-LINEARIDADES DE TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO EM AMPLIFICADORES DE MICROONDAS
This work deals with the effects of non-linear ities of field-effect transistors used in microwave amplifiers. To do so, the transistor is modeled by a non-linear equivalent circuit, with its components determined through the measurement of its scattering parameters, in the range of 3 GHz to 9GHz, and with the aid of a circuit optimization program and anothe
Publicado em: 1984
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6. Estudo de amplificadores usando transistores bipolares em microondas
The purpose of this study is to present the basic concepts for designing microwave bipolar transistor amplifiers. In this work the transistor is considered to be a two-port device characterized by the scattering parameters. These scattering (S) parameters are measured for specific bias conditions over the desired frequency range (1 to 2 GHz). The rules for t
Publicado em: 1978