Transistores De Efeito De Campo
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1. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): Princípios de operação e características eletrônicas
O ensino de física dos dispositivos semicondutores é absolutamente fundamental para o desenvolvimento da microeletrônica. Contudo, cursos introdutórios nesta área muitas vezes se limitam a apresentar modelos analíticos excessivamente simplificados, que possibilitam uma compreensão intuitiva, mas incapazes de captar toda a complexidade dos dispositivos
Rev. Bras. Ensino Fís.. Publicado em: 2015-12
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2. Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos / Manufacturing and study of charge transport properties of organic thin film transistors
A eletrônica digital desempenha papel essencial no desenvolvimento e manutenção dos padrões de vida em prática hoje no mundo. A peça fundamental para a criação desta era tecnológica é sem dúvidas o transistor. Com o advento de novos materiais, a busca por transistores que oferecem novas oportunidades de processamento e aplicação permitiu que uma
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/10/2012
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3. Aplicação de novos materiais em transistores de efeito de campo ferroelétricos
In this work, we investigated the electrical properties of the polyelectrolyte PSS in its sodium form (PSS-Na, Polystyrene sulfonic in the sodium form) and acid form (PSS-H, polystyrene sulfonic in the acid form) and also doped with Fe3+ for application in Ferroelectric Field Effect Transistors (Fe-FET). The PSS-Na was acquired from Aldrich and PSS-H was obt
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/07/2012
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4. Desenvolvimento de materiais e métodos de fabricação de sensores químicos/bioquímicos baseados em silício e nanoestruturas de carbono (ISFET, CNTFET e GraFET) : Development of materials and methods of fabrication of chemical/biochemical sensors based on silicon and carbon nanostructures (ISFET, CNTFET and GraFET) / Development of materials and methods of fabrication of chemical/biochemical sensors based on silicon and carbon nanostructures (ISFET, CNTFET and GraFET)
Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de materiais e métodos avançados de fabricação de sensores químicos/bioquímicos. Utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da UNICAMP, foram desenvolvidos e caracterizados filmes finos de alta constante dielétrica e filmes metálicos. Os materiais desenvolvidos foram
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/07/2012
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5. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo. / Study of tunnel field effect transistors.
This works presents the study of tunneling field effect transistors, namely TFETs. Analyses were performed based on theoretical explanations, numerical simulations and experimental data in order to show this technology suitability as an alternative for the continuous devices scaling. The basic idea of making use of band-to-band tunneling as the main current
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/03/2012
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6. Simulação de transistores spintrônicos, materiais semicondutores e pontos quânticos
Justificadamente, o século XX poderia ser qualificado como o século da Eletrônica. Em 50 anos, os dispositivos eletrônicos revolucionaram a sociedade, incluindo desde os brinquedos eletrônicos e os eletrodomésticos, até os gigantescos supercomputadores usados em previsões climáticas. Toda esta revolução ocorreu à sombra de uma técnica para torna
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 22/12/2011
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7. Sensores e biossensores baseados em transistores de efeito de campo utilizando filmes automontados nanoestruturados / Sensors and biosensors based on field-effect transistors using nanostructured self-assembled films
Separative extended gate field-effect transistor (SEGFET) device is an alternative to the conventional ion-sensitive field-effect transistor (ISFET). The great advantage of SEGFET refers to its easy processing, i.e., it is limited under only manipulation of the gate electrode, avoiding the conventional microelectronic processes. In this way, ion sensors and
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/11/2011
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8. Aglomerados de pentaceno e nanotubos de carbono: um estudo MM/MQ (mecânica molecular/mecânica quântica) / Pentacene and carbon nantubes clusters: A MM/MQ (molecular mechanics/quantum mechanics) study
Nanotubos de carbono e polímeros condutores são fortes candidatos à miniaturização dos componentes eletrônicos disponíveis atualmente. Estudos teóricos afirmaram que 1/3 dos nanotubos seriam metálicos, enquanto que os outros seriam semicondutores, mas alguns grupos reportaram medidas experimentais evidenciando um pequeno gap eletrônico em tubos con
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 22/09/2011
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9. AnÃis quÃnticos semicondutores ideais / Ideal semiconductor quantum rings
Nos Ãltimos anos, numerosos avanÃos alcanÃados nas tÃcnicas de crescimento de materiais deram origem à formaÃÃo de vÃrias heteroestruturas de semicondutores, onde se podem confinar elÃtrons e buracos em uma ou mais direÃÃes, atravÃs de barreiras de potencial. Muitos pesquisadores recentemente tÃm estudado estruturas de baixas dimensionalidades,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/08/2011
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10. Montagem da técnica Photo-CELIV para obtenção de parâmetros de condução em filmes finos de polímeros eletrônicos / CELIV technique assembly for conduction parameters obtainment in electronic thin films polymers
A eletrônica orgânica, isto é, aquela baseada em compostos orgânicos principalmente por átomos de Carbono, Hidrogênio, Nitrogênio, etc., vem mostrado um notável desenvolvimento nos últimos anos, pois tem aberto novas aplicações e novos mercados na área da eletrônica. Displays flexíveis e de alta resolução feitos a partir de polímeros conjuga
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 12/05/2011
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11. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010
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12. Nanofios de óxido de zinco e nanofitas de grafeno:: fabricação, estrutura e propriedades de transporte opto-eletrônico
Nessa tese, estudamos a fabricação e propriedades de transporte elétrico em nanoestruturas como nanofios de ZnO e grafeno. Em nanofios de ZnO, elaboramos um trabalho sobre o mecanismo de crescimento em baixas temperaturas, onde a fabricação de nanofios de ZnO ocorre facilitada pela epitaxia entre as nanopartículas catalisadoras sólidas e os nanofios.
Publicado em: 2010