Spin Eletronico
Mostrando 13-24 de 43 artigos, teses e dissertações.
-
13. Efeitos da modulação de interferência quântica nas propriedades de transporte eletrônico em nanofitas armchair de Grafeno: Pseudo-spintrônica e análogo relativístico de Klein / Modulation effects of quantum interference in the electronic transport properties of armchair graphene nanoribbons: Pseudo-spintronics and Kleins similar relativistic
No presente trabalho, temos estudado o transporte eletrônico quântico em fitas de grafeno com bordas tipo armchair (FGA). Estas fitas são caracterizadas por apresentar um comportamento semicondutor ou metálico segum a largura que adote. A presença de uma barreira de potencial na FGA gera um deslocamento da estrutura de banda na região do potencial, pos
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/11/2009
-
14. Ressonancia de spin eletronico (ERS) em compostos tipo fermions pesadas a base de Iterbio (Yb) / Electron spin resonance (ERS) in Ytterbium (Yb) based heavy fermion compounds
Nesta Dissertação desenvolvemos estudos de Ressonância de Spin Eletrônico (ESR) em monocristais dos compostos tipo férmions pesados YbR h2Si2 e YbAlB4. No caso do sistem YbRh2Si2, exploraramos os experimentos de ESR para três bandas de frequência existentes em nosso laboratório (n = 4,1 GHz (Banda-S), n = 9,4 GHz (Banda-X) e n = 34,0 GHz (Banda-Q)),
Publicado em: 2009
-
15. Estudo teórico da dupla dopagem de metais de transição em GaN e ZnO: ligas e heteroestruturas.
A spintrônica, que está inserida na nanotecnologia, se mostra hoje muito promissora no sentido de aprimorar outras tecnologias como a própria eletrônica convencional, a fotônica, a computação quântica, etc. Ela se baseia no transporte e manipulação do spin dos portadores em sistemas de estado sólido. No entanto, para sua implementação necessitam
Publicado em: 2009
-
16. Ruido no transporte eletronico em sistemas mesoscopicos / Noise in the electronic transport in mesoscopic systems
This dissertation describes the fundamental caracteristics of mesoscopic conductors, and the origins and properties of the sources of noise in conductors. Firstly, we describe the noise through different methods and emphasize the properties of each kind of noise. In the following, we present the scattering approach for coherent phase conductors, which allows
Publicado em: 2009
-
17. Magnetotransport in double and triple quantum wells with different Landé g factor / Magnetotransporte em poços-quânticos duplos e triplos com diferentes valores do fator g de Landé
Neste trabalho, apresentamos estudos sobre o transporte eletrônico de cargas e diagramas de fase no plano ns-B em bicamadas eletrônicas ou poços quânticos duplos, formados de ligas semiconductoras de AlxGa1-xAs e GaAs, assim como também em poços quânticos triplos de GaAs. Para esta finalidade, amostras de poços duplos com diferentes concentrações d
Publicado em: 2009
-
18. Propriedades estruturais, eletronicas e magneticas de filmes finos de materiais magneticos / Structural, electronic and magnetic thin film properties of magnetic materials
A Física de superfícies, interfaces e filmes finos vem se desenvolvendo muito rapidamente nas últimas décadas com o aparecimento de inúmeras técnicas experimentais para estudo das propriedades de superfície. Por outro lado, tem ocorrido um grande avanço dos equipamentos de informática e dos métodos computacionais, com o desenvolvimento de novos alg
Publicado em: 2008
-
19. Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores
Neste trabalho apresentamos o estudo do efeito do acoplamento spin-órbita na estrutura eletrônica de pontos e anéis quânticos semicondutores. As contribuições de Rashba, devido à assimetria da inversão estrutural e de Dresselhaus, causado pela assimetria da inversão cristalina, comum em alguns materiais semicondutores do grupo III-IV, são introduzi
Publicado em: 2007
-
20. Decoherence and relaxation time in an ensemble of quantum dots / Tempos de relaxação e decoerencia em ensembles de pontos quanticos
Experimental measurements were carried out to determine the scales of the relaxation and decoherence time for the electronic spin as quantum bit. The structure of the exciton states was investigated with the objective to serve as intermediate states in the spin manipulation. The system studied for the implementation of the quantum computation is an ensemble
Publicado em: 2007
-
21. Nanostructured materials of type IV and III-V doped with Mn. / Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V dopados com Mn
No presente trabalho, investigamos propriedades eletr^onicas, estruturais e de transporte de nanoestruturas do tipo IV e tipo III-V usando c´alculos de primeiros princ´?pios. (I) Como ponto de partida, verificamos sistematicamente a estabilidade do Mn substitucional nas camadas de Ge em uma heteroestrutura de Si/Ge. Estudamos a intera¸c~ao magn´etica Mn-
Publicado em: 2007
-
22. Ressonant energy transfer and transport mechanisms in molecular electronic devices based on Alq3 organic molecule. / Transferência resonante de energia e mecanismos de transporte eletrônico em dispositivos moleculares baseados na molécula orgânica Alq3.
The aim of the present work was to study and analyses the energy and electron transfer process in molecular devices. The molecular devices were fabricated by using the polystyrene polymer because this material, as it was verified in this work, showed a good insulator features. The optical and electrical molecular devices were fabricated by using the spin-coa
Publicado em: 2007
-
23. Synthesis, molecular structure and spectroscopic, electrochemical and magnetic properties of a new dinuclear iron complex containing µ-sulfate-di-µ-alkoxo bridges: evaluating the influence of the sulfate bridge on the physicochemical properties of the di-µ-alkoxo-diiron unit
O complexo [Fe2III(BPClNOL)2(SO4)] 3 foi sintetizado pela reação do pré-ligante N-(2-hidroxibenzil)-N-(2-metilpiridil)[(3-cloro)(2-hidroxi)]propilamina (H2BPClNOL) com FeSO4.7H2O. O composto oxidado apresenta absorção máxima em 519 nm (épsilon = 1,40X10³ dm³ mol-1 cm-1) e a espécie de valência mista absorve em 439 nm (épsilon = 9,8X10² dm³ mol-
Journal of the Brazilian Chemical Society. Publicado em: 2006-12
-
24. PRESSURE-TEMPERATURE-COMPOSITION PHASE DIAGRAM OF THE HEAVY FERMION COMPOUND CE2RH(1−X)IR(X)IN8 / DIAGRAMA DE FASES PRESSÃO-COMPOSIÇÃO-TEMPERATURA DO COMPOSTO FÉRMION PESADO CE2RH(1−X)IR(X)IN8
Heavy fermion compounds behave differently from typical metals at low temperatures, where the phenomena that arise due to the correlation between conduction electrons and the f ions of the lattice become evident. An increased effective electronic mass that can reach values as high as hundreds of times the free electron mass and the coexistence of magnetic or
Publicado em: 2006