Sioxny
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1. Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS / Process development of gate electrodes (TiN and TaN) for MOS devices
Tantalum nitride (TaN) and titanium nitride (TiN) films have been obtained by DC sputtering, using different nitrogen flow (10 - 80 sccm) and power (500 - 1500 W), in a nitrogen (N2)/argon (Ar) ambient on Si (100) substrates. The N2/Ar ratio in gas mixture and power effects on structural and electrical properties of TaN and TiN films were investigated by sca
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/07/2011
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2. Thermo-mechanical properties of a-SiC:H and SiOxNy thin films and development of MEMS. / Propriedades termo-mecânicas de filmes finos de a-SiC:H e SiOxNy e desenvolvimento de MEMS.
O presente trabalho, realizado junto ao Grupo de Novos Materiais e Dispositivos (GNMD), no Laboratório de Microeletrônica do Departamento de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da USP, visou determinar algumas das propriedades termo-mecânicas de materiais depositados pela técnica de plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) que são impo
Publicado em: 2008
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3. Físico-química do hidrogênio em óxidos e silicatos de háfnio para aplicação como dielétrico de porta
Após quatro décadas de sucesso do SiO2 (e SiOxNy), as novas gerações de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor utilizarão dielétricos de porta de materiais alternativos, dentre os quais se destacam o óxido (HfO2) e os silicatos de háfnio (HfSixOy). Para implementar esses novos dielétricos, é crucial controlar seus defeitos, em pa
Publicado em: 2008
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4. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD. / Morphological and structural studies of silicon oxynitride films (SiOxNy) obtained by PECVD technique.
Neste trabalho são apresentados resultados da caracterização estrutural e morfológica de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) depositados pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) a baixa temperatura (320°C). O objetivo deste trabalho é relacionar a composição química de ligas amorfas de SiOxNy com suas propried
Publicado em: 2007
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5. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS. / Study of dielectric layers for MOS capacitors.
Silicon oxynitride films obtained by the PECVD technique from N2O+SiH4+He gaseous mixtures, at 320°C, with different deposition pressure and RF power were studied intending to improve the interface quality with Si, decreasing the effective charge density and the interface state density in order to utilize them in MOS semiconductor devices. The results showe
Publicado em: 2007
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6. Desenvolvimento de micropontas de silício com eletrodos integrados para dispositivos de emissão por efeito de campo. / Development of silicon microtips with integrated electrical contacts for field emission devices.
This work presents a fabrication method of silicon microtips with integrated electrical contacts into the structure. Our motivation is the future development of field emission devices - FED, however our focus in this research is the microstructure fabrication process. This method is based on: (i) anisotropic under-etch method that occurs in the silicon subst
Publicado em: 2007
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7. Filmes finos dielétricos para dispositivos microeletrônicos avançados
Apresentamos mecanismos de formação e de degradação térmica de filmes fi- nos (espessura da ordem de 10 nm) de diferentes dielétricos sobre substrato de silício monocristalino. Tendo em vista a aplicação dessas estruturas em MOSFETs (transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), estudamos o consagrado óxido de silício (SiO2), os atua
Publicado em: 2007
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8. Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication
As heterojunções de SiC em isolante, conhecidas como SiCOI (SiC-on-insulator), ao combinar as vantagens do SiC e do substrato de Si mostram-se interessantes para aplicações em altas temperaturas, alta potência, altas freqüências, sensores inteligentes, e aplicações micro-mecânicas. Neste trabalho pesquisamos as propriedades de filmes finos de carbe
Journal of the Brazilian Chemical Society. Publicado em: 2006-10
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9. Obtenção e caracterização de filmes finos de oxido, nitreto e oxinitreto de silicio por deposição ECR-CVD / Synthesis and characterization of oxide nitride and silicon oxynitride thin films by ECR-CVD
In this work, silicon nitride (SixNy), oxide (SiOx) and oxynitride (SiOxNy) thin films obtained by remote plasma chemical vapor deposition (RPCVD) on silicon substrate were studied and characterized for micromachining or micro electro-mechanical system (MEMS) applications. Silicon nitride films (SixNy) were used in suspended structures (membranes and bridges
Publicado em: 2005
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10. Processos termicos rapidos RTO / RTA para fabricação de dispositivos MOS / Rapid thermal process RTO / RTA for MOS devices fabrication
Filmes ultra-finos e finos de óxido de silício (SiO2) foram obtidos por oxidação (RTO) e recozimento (RTA) térmicos rápidos, usando diferentes temperaturas de 600, 700, 800 e 960oC por 40s, em ambiente de oxigênio e de nitrogênio, respectivamente. A caracterização por elipsometria (para índice de refração fixo de 1.46), por microscopia eletrôni
Publicado em: 2005
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11. Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR
Esta dissertação descreve a obtenção e a caracterização de ultra-finos (5 à 0,5 nm) de oxinitreto de silício (SiOxNy) através da oxidação e/ou nitretação por plasma ECR (Electron Cyclotron Resonance) de alta densidade. O interesse nestes filmes isolantes e nesta tecnologia, que permite reduzir o stress térmico sobre as lâminas, cresce à medid
Publicado em: 2004
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12. Estudo e produção de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) pela técnica de PECVD.
Neste trabalho apresentamos os resultados da deposição e caracterização de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) à baixas temperaturas (320oC). O objetivo deste trabalho é obter filmes de ligas amorfas de silício, oxigênio e nitrogênio com composição química ajustável
Publicado em: 2003