Silicio Propriedades Oticas
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1. Éxcitons em nanocristais de silício / Excitons in Silicon nanocrystals
As propriedades ópticas de nanocristais de silício (Si-ncs) têm sido extensivamente estudadas após a primeira demonstração em 1990 de fotoluminescência altamente eficiente em silício poroso. Apesar dos progressos no entendimento da natureza da alta eficiência da luminescência dos Si-ncs e da enorme versatilidade para aplicações optoeletrônicas,
Publicado em: 2010
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2. Camadas antirrefletoras de carbono amorfo e carbeto de silicio para celulas solares de silicio cristalino / Antireflective coatings of amorphous carbon and silicon for crystalline silicon solar cells
Nesta tese estamos propondo o uso de carbono amorfo como um possível candidato para uso como camada antirrefletora em células solares de silício cristalino. O carbono amorfo pode ser preparado com alta banda proibida e tem propriedades importantes como alta dureza, baixo coeficiente de atrito, preparado à temperatura ambiente, etc. Além disso, o carbono
Publicado em: 2009
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3. Propriedades opticas e eletricas de nanoestruturas de Si / Optical and electrical properties of silicon nanostructures
Analisamos amostras de óxido de silício rico em silício (SRSO) obtidas por um sistema de deposição química de vapor com ressonância ciclotrônica de elétrons (ECR-CVD). Propriedades estruturais, de composição, ópticas e elétricas foram estudadas por transformada de Fourier de absorção no infravermelho (FTIR), microscopia eletrônica de transmis
Publicado em: 2009
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4. Estudo da influência da temperatura de implantação na fotoluminescência de nanocristais de silício
Neste trabalho estudamos a influência da temperatura de implantação iônica nas propriedades estruturais e de luminescência de nanocristais de Si em matriz de SiO2. Essas nanoestruturas, formadas por meio de implantação de Si em substratos de SiO2 mantidos entre 25 e 800 oC e tratados à temperaturas 1100°C, revelam uma intensa emissão de fotolumines
Publicado em: 2007
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5. Filmes de diamante não-dopados e dopados: um estudo sistemático usando espectroscopia Raman.
Filmes de diamante crescidos por deposição de vapor químico (CVD) assistido por filamento quente (HFCVD) e plasma de microondas (MWCVD) foram investigados. Espectroscopia Raman, microscopia eletrônica de varredura e difração de raios-X foram utilizadas para realizar estudos sistemáticos sobre a qualidade cristalina e a pureza de fase dos filmes, como
Publicado em: 2004
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6. Propriedades Óticas de Estruturas Semicondutoras com Dopagem Planar do Tipo n ou p / Optical properties of semiconductor structures with doping Flat Type n or p
Estruturas semicondutoras com dopagem planar são sistemas de considerável interesse tanto para a a pesquisa básica como para a aplicação em dispositivos. Neste trabalho caracterizamos estruturas semicondutoras com dopagem planar tipo n ou p, utilizando técnicas de espectroscopia ótica tais como fotoluminescencência (PL) e fotoluminescência-excitaç�
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/1998
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7. Propriedades Estruturais e Óticas de Nanopartículas de Silício / Structural and Optical Properties of Silicon Nanoparticles
Neste trabalho nós estudamos as propriedades de nanopartículas de Si hidrogenadas, limpas e com oxidação da superfície, como simulação do material Silício poroso. Para tal, desenvolvemos um procedimento para o cálculo da geometria, propriedades vibracionais e espectro ótico de sistemas semicondutores complexos, usando as técnicas semiempíricas de
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/06/1997
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8. Confinamento de estados eletronicos e vibracionais em microestruturas semicondutoras com progressiva redução da dimensionalidade
Utilizamos diversas formas de espalhamento de luz para estudar estados quânticos de elétrons, buracos e fônons em microestruturas semicondutoras numa progressão de dimensionalidade cada vez mais reduzida, o que nos leva desde 3D até OD. A transição contínua 3D ® 2D foi observada nos estados eletrônicos de superredes de InGaAs/GaAs sob efeito de um
Publicado em: 1996
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9. Estudo dos efeitos do confinamento quantico em particulas nanoscopicas de silicio
Neste trabalho propomos o crescimento e a caracterização de nanocristais de silício visando o estudo do efeito do confinamento quântico nas propriedades óticas e elétricas destes materiais. Baseados em resultados preliminares que mostraram evidências de confinamento quântico em diodos de tunelamento ressonante de silício, desenvolvemos um novo tipo
Publicado em: 1995
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10. Estudo das propriedades oticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletronica de arsenio
São investigadas as propriedades elétricas e óticas na região excitônica do InP utilizando as técnicas de efeito Hall e fotoluminescência a baixas temperaturas, respectivamente. As amostras analisadas foram crescidas pela técnica de CBE (epitaxia por feixe químico), cujo sistema foi recentemente instalado no IFGW/Unicamp. Os espectros de fotolumines
Publicado em: 1995
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11. Characterization of sol-gel thin films by ellipsometry. / Caracterização de filmes finos Sol-gel por elipsometria.
Este trabalho experimental trata da caracterização de filmes sol-gel por elipsometria. A caracterização é um procedimento importante na determinação das propriedades físico-químicas de qualquer material como, por exemplo, filmes finos sol-gel. É possível produzir materiais de natureza diversa (vítreos, cerâmicos e cristalinos) pela técnica sol-
Publicado em: 1992
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12. Luminescencia e propriedades oticas e vibracionais em carbetos de silicio amorfo hidrogenado não estequiometrico depositados por descarga luminescente
Os materiais amorfos são bem conhecidos desde ha muito tempo, tendo como melhor exemplo o vidro. Somente recentemente o estudo de suas propriedades e suas aplicações na microeletrônica vem crescido dramaticamente. Isto é conseqüência do sucesso obtido por Spear e LeComber(1) no controle das propriedades elétricas do silício amorfo hidrogenado (a-Si:
Publicado em: 1990