Confinamento de estados eletronicos e vibracionais em microestruturas semicondutoras com progressiva redução da dimensionalidade

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1996

RESUMO

Utilizamos diversas formas de espalhamento de luz para estudar estados quânticos de elétrons, buracos e fônons em microestruturas semicondutoras numa progressão de dimensionalidade cada vez mais reduzida, o que nos leva desde 3D até OD. A transição contínua 3D ® 2D foi observada nos estados eletrônicos de superredes de InGaAs/GaAs sob efeito de um campo elétrico dc externo, onde os elétrons e buracos pesados foram progressivamente confinados com o aumento da intensidade do campo, enquanto que o buraco leve sempre apresentou comportamento 3D devido ao alinhamento aproximado de suas bandas nos dois lados da heterojunção InGaAs/GaAs. A progressão 2D ® 1D foi analisada através da anisotropia óptica na refletividade modulada de superredes de AlAs/GaAs ocasionada por interfaces corrugadas; à medida que o período da série de amostras decrescia, a corrugação tornava-se mais importante e induzia um confinamento lateral adicional (formação de fios). O passo final nD ® OD foi encontrado no Silício Poroso: como produto da corrosão eletroquímica do Si cristalino, o material poroso resultante apresentou-se composto de nanocristais de Si ( "pontos quânticos" ) pequenos o suficiente para alterar as propriedades vibracionais do silício, de forma que estes efeitos de confinamento OD traduziram-se claramente na forma de linha dos espectros de espalhamento Raman

ASSUNTO(S)

solidos - propriedades oticas

ACESSO AO ARTIGO

Documentos Relacionados