Semicondutors Iii V
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1. Ressonadores de microdiscos com região ativa nanoestruturada bombeados por injeção eletrônica / Microdisk resonators with nanostructured active region pumped by electronic injection
This doctorate¿s thesis presents the growth of InAs quantum dots directly on high bandgap InGaAsP (?g=1420 nm) barriers to be used as the active region of microdisk resonators with emission in the C-band (1520¿1570 nm). Based on photoluminescence and atomic force microscopy experiments, the occurrence of inter-diffusion on the InAs/InGaAsP interface is cal
Publicado em: 2010
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2. Isolação elétrica por implantação iônica em GaAs e AlGaAs
O processo de isolação elétrica por implantação de prótons é estudado para os casos do semicondutor GaAs e de estruturas DBR - Distributed Bragg Reflectors - de AlGaAs. A obtenção da energia crítica de implantação em camadas DBR de dispositivos VCSELs, Vertical Cavity Surface Emmiting Lasers, é exemplificada. Medidas da evolução da resistênci
Publicado em: 2009
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3. Sintese de nanoparticulas de oxidos semicondutores tipo caroço-casca em ambiente confinado / Synthesis of semiconductors oxides core-shell nanoparticles into confined ambient
Este trabalho reporta o estudo e o desenvolvimento da metodologia de síntese e de caracterização de nanopartículas isoladas e nanopartículas heteroestruturadas caroço@casca (NCC) envolvendo os óxidos semicondutores (TiO2, CeO2 e SnO2) impregnados em suporte poroso funcional (vidro poroso Vycor ¿ PVG). Empregou-se a metodologia de Ciclos de Impregnaç
Publicado em: 2009