Semicondutores Iii V
Mostrando 1-12 de 52 artigos, teses e dissertações.
-
1. Propriedades estruturais, eletrônicas e termodinâmicas de ligas semicondutoras baseadas em tálio
Apresentamos um estudo teórico de ligas semicondutoras baseadas em tálio, na estrutura cúbica zincblende, com a possibilidade de serem um alternativa viável para os dispositivos optoeletrônicos que atuam na região do comprimento de onda do infravermelho. A metodologia empregada foi a combinação de cálculos de primeiros princípios de estrutura eletr
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2028
-
2. Desenvolvimento de um sistema de aquisição de dados e de controle para a realização de ensaios de emissão eletrônica na câmara de ultra alto vácuo / Development of a data acquisition and control system for electron emission tests in an ultra high vacuum chamber
Foi projetado e desenvolvido um sistema de aquisição de dados e controle para viabilizar, de forma automatizada, a caracterização de emissividade eletrônica em catodos frios, por meio da utilização da câmara de ultra alto vácuo do Departamento de Semicondutores, Instrumentação e Fotônica - DSIF, da Faculdade de Engenharia Elétrica e Computação
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 02/07/2012
-
3. Nanowhiskers politípicos - uma abordagem teórica baseada em teoria de grupos e no método k.p / Polytypical nanowhiskers - a theoretical approach based on group theory and k.p method
Nanowhiskers semicondutores de compostos III-V apresentam grande potencial para aplicações tecnológicas. Controlando as condições de crescimento, tais como temperatura e diâmetro, é possível alternar entre as fases cristalinas zincblend e wurtzita, dando origem ao politipismo. Esse efeito tem grande influência nas propriedades eletrônicas e óticas
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 09/02/2012
-
4. A study on the physical properties of quantum dot structures for infrared photodetection
Esta tese faz parte de uma proposta mais ampla cujo objetivo global e dominar a tecnologia de fotodetectores de radiacao infravermelha baseados em pontos quanticos semicondutores auto-organizados, os Quantum Dot Infrared Photodetectors (QDIPs), para a faixa de comprimento de onda de 2 a 20 Êm. A tese esta centrada no estudo das propriedades fisicas de ponto
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 12/07/2011
-
5. THE NATURE OF PLASTIC DEFORMATION OF III-V SEMICONDUCTORS RESULTING FROM ATOMIC FORCE MICROSCOPY NANOLITHOGRAPHY / A NATUREZA DA DEFORMAÇÃO PLÁSTICA EM SEMICONDUTORES III-V RESULTANTE DA NANOLITOGRAFIA POR MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA
Neste trabalho foi estudada a deformação mecânica em semicondutores III-V resultante da nanolitografia por microscopia de força atômica (AFM). O AFM, equipado com uma ponta de diamante de raio de curvatura de 80 nm, foi usado para riscar a superfície do InP com forças da ordem de dezenas de mN ao longo de direções cristalográficas específicas. O p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/06/2011
-
6. Deposição de A/N por sputtering não reativo
Neste trabalho depositamos via magnetron sputtering de rádio-frequência não reativo nanofilmes de nitreto de alumínio (AlN). Os nanofilmes de nitreto de alumínio são materiais semicondutores com alta condutividade térmica, elevado ponto de fusão, piezoeletricidade e largo "bandgap"(6;2 eV) com estrutura cristalina wurtzítica hexagonal, pertencentes
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/01/2011
-
7. Homogeneidade química, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V / Chemical homogeneity, interfaces and structural defects in III-V semiconductor nanowires
O desenvolvimento de novos materias tem grande interesse devido à ocorrência de novos fenômenos e propriedades, as quais podem ser usadas em futuras aplicações tecnológicas. Em particular, nas últimas décadas, esforços imensos foram realizados buscando compreender nanomateriais e os efeitos da redução de tamanho e de dimensão. Entre os diferentes
Publicado em: 2011
-
8. Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante
Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais compostos semicondutores III-V GaSb e GaInSb, levemente dopados com alumínio (Al), cádmio (Cd) e telúrio (Te). O Antimoneto de Gálio é um composto semicondutor da família III-V, com característica optoeletrônica e termofotovoltaica, de aplicação preferencial para uma nova geração
Publicado em: 2011
-
9. Estudo sistemático das propriedades eletrônicas e estruturais de semicondutores bidimensionais com estrutura tipo grafeno / Systematic study of structural and electronic properties of semiconductor two-dimensional with graphene-like structure
A recente síntese do grafeno mostrou que cristais estritamente bidimensionais são verdadeiramente estáveis. A alta qualidade deste cristal e as propriedades diferentes presentes nele fazem deste um material promissor. Estudos teóricos e experimentais têm mostrado que não apenas o grafeno pode ser estável e mostrar propriedades interessantes, mas tamb�
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/02/2010
-
10. O estado da arte da síntese de semicondutores nanocristalinos coloidais
Colloidal semiconductor nanocrystals, also known as quantum dots, have attracted great attention since they have interesting size-dependent properties due to the quantum confinement effect. These nanoparticles are highly luminescent and have potential applications in different technological areas, including biological labeling, light-emitting diodes and phot
Química Nova. Publicado em: 2010
-
11. Analisys of the atomic orbitals spin information in the calculation of semiconductors strucutures properties / Análise da informação do spin dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades de estruturas semicondutoras
O presente trabalho é um estudo sobre a importância da informação dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades optoeletrônicas de heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade. O trabalho é dividido em duas partes: na primeira parte, é estudada a simetria de reversão temporal no hamiltoniano k . p, analisando a preservação da info
Publicado em: 2010
-
12. Ressonadores de microdiscos com região ativa nanoestruturada bombeados por injeção eletrônica / Microdisk resonators with nanostructured active region pumped by electronic injection
This doctorate¿s thesis presents the growth of InAs quantum dots directly on high bandgap InGaAsP (?g=1420 nm) barriers to be used as the active region of microdisk resonators with emission in the C-band (1520¿1570 nm). Based on photoluminescence and atomic force microscopy experiments, the occurrence of inter-diffusion on the InAs/InGaAsP interface is cal
Publicado em: 2010