Deposição de A/N por sputtering não reativo

Eduardo Moreira Damasceno

Neste trabalho depositamos via magnetron sputtering de rádio-frequência não reativo nanofilmes de nitreto de alumínio (AlN). Os nanofilmes de nitreto de alumínio são materiais semicondutores com alta condutividade térmica, elevado ponto de fusão, piezoeletricidade e largo "bandgap"(6;2 eV) com estrutura cristalina wurtzítica hexagonal, pertencentes ao grupo de novos materiais denominados nitretos III-V que em conjunto com o nitreto de gálio e o nitreto de índio têm despertado muito interesse por possuírem propriedades físico-químicas relevantes para novas aplicações tecnológicas, principalmente em microeletrônica e dispositivos optoeletrônicos. Foram depositados três grupos de nanofilmes com as espessuras dependêntes do tempo, sobre dois tipos de substratos (vidro e silício) a uma temperatura de 25C. Os nanofilmes de AlN foram caracterizados usando três técnicas, a difração de raios-X, espectroscopia Raman e microscopia de força atômica (AFM), analisado-se a morfologia desses. Através da análise dos raios-X obtemos a espessura de cada amostra com sua respectiva taxa de deposição. A análise dos raios-X também revelou que os nanofilmes não são cristalinos, evidenciando o caráter amorfo das amostras. Os resultados obtidos através da técnica, microscopia de força atômica (AFM) concordam com os obtidos usando a técnica de raios-X. A caracterização por espectroscopia Raman evidenciou a existência de modos ativos característicos do AlN nas amostras analisadas

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