Semiconductor Interfaces
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1. (Bio)conjugation Strategies Applied to Fluorescent Semiconductor Quantum Dots
Quantum dots (QDs) are semiconductor nanocrystals, which present unique photophysical properties, enabling their application as new fluorescent platforms for biomedical sciences. Colloidal QDs are end-capped with organic or inorganic compounds, not only to prevent their agglomeration but also to provide reaction sites for the attachment of targeting (bio)mol
J. Braz. Chem. Soc.. Publicado em: 24/10/2019
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2. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixe de íons (IBAD) / Optoelectronic properties of interfaces hybrid metal / organic semiconductor prepared by ion beam assisted deposition (IBAD)
In this work, optoelectronic properties from organic light emitting devices (OLEDs), based on conjugated polymers with metallic cathode, which were deposited by ion beam assisted deposition technique (IBAD) were studied. The main objective of this work is to produce a hybrid non abrupt metal/polymer interface and to study its effects on electron injection. T
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/07/2011
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3. Homogeneidade química, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V / Chemical homogeneity, interfaces and structural defects in III-V semiconductor nanowires
O desenvolvimento de novos materias tem grande interesse devido à ocorrência de novos fenômenos e propriedades, as quais podem ser usadas em futuras aplicações tecnológicas. Em particular, nas últimas décadas, esforços imensos foram realizados buscando compreender nanomateriais e os efeitos da redução de tamanho e de dimensão. Entre os diferentes
Publicado em: 2011
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4. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010
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5. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes / Structural study of semiconductors nanosystems and implanted semiconductors by means of n-beams X-ray diffraction
In this paper, X-ray multiple diffraction (MD) associated with the advantages of synchrotron radiation appears as a high-resolution microprobe and it is used to obtain relevant contributions to the study of structural properties of semiconductor materials, as they present themselves nanosystems epitaxial or implanted with ions. The study and detection of neg
Publicado em: 2010
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6. Filtros acústicos em cristais fonônicos
In this work, we have studied the acoustic phonon wave propagation within the periodic and quasiperiodic superlattices of Fibonacci type. These structures are formed by phononic crystals, whose periodicity allows the raise of regions known as stop bands, which prevent the phonon propagation throughout the structure for specific frequency values. This p
Publicado em: 2009
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7. Propriedades opticas de nanofios de InP / Optical properties of InP nanowires
Optical properties of InP nanowires grown by Vapor-Liquid-Solid (VLS) method in a Chemical Beam Epitaxy system were investigated by using micro-photoluminescence spectroscopy varying experimental parameters such as excitation power, emitted signal polarization and sample temperature. Due to polytypism (InP in cubic, zincblende (ZB), and hexagonal, wurtzite (
Publicado em: 2009
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8. ProduÃÃo de heterojunÃÃes de polianilina/silÃcio e nanofibras de polianilina para aplicaÃÃes em dispositivos hÃbridos
In this work we develop the methodology for the synthesis and fabrication of Polyaniline (PANI) â Silicon (Si) heterojunctions, with great potential for technological applications as sensors in different areas such as optics, ionizing radiation and gas detection. Besides, we were able to implement the electrospinnin technique with the goal of producing poly
Publicado em: 2006
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9. Resistência interna de células solares fotovoltaicas de Si e TiO2
Interest in research concerning renewable energy sources has grown in recent decades. In this context the study of the physical processes important in the conversion of solar energy radiation via the photovoltaic effect has increasingly been studied theoretically and experimentally. In this thesis we take a thermodynamical approach to the solar energy conver
Publicado em: 2005
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10. Contrast enhancement in photothermal microscopy of semiconductor devices by varying the probe wavelength / Contraste na microscopia fototermica de dispositivos semicondutores atraves da variação do comprimento de onda
A Microscopia Fototérmica de Reflexão vem sendo utilizada na investigação de dispositivos micro e opto-eletrônicos em operação, devido ao seu caráter não destrutivo e por não requerer contato com a superfície da amostra. Esta técnica se baseia na dependência da refletância da amostra com a temperatura, com o campo elétrico local, bem como com
Publicado em: 2005
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11. Estudo da aplicabilidade da plataforma Java em sistemas embarcados.
VÃrios fabricantes estÃo adotando a linguagem Java para desenvolvimento de suas aplicaÃÃes com intuito de diminuir custos de desenvolvimento, principalmente devido as novas funcionalidades de conexÃo exigidas pelo mercado.As caracterÃsticas da linguagem Java tais como, simplicidade, portabilidade, seguranÃa, reusabilidade e suporte, tÃm atraÃdo o me
Publicado em: 2005
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12. Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico
In this work we present a study on residual and intentional dopant elements, on ordering and on interfaces of InGaP lattice matched with GaAs. The goal of this study is to obtain semiconductor devices using this material. We have found that Carbon is the main residual dopant. It is incorporated as donor and as acceptor, the ratio between these two incorporat
Publicado em: 2003