Microcavidade Semicondutora
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1. Campo médio generalizado para a descrição da bi-estabilidade óptica gerada por polaritons em uma microcavidade semicondutora
Neste trabalho fazemos a aplicação da aproximação Gaussiana para a descrição da propriedade da bi-estabilidade óptica gerada por polaritons numa microcavidade semicondutora. Esta aproximação corresponde à uma generalização da aproximação de estado coerente, que adiciona mais propriedades quânticas na descrição do sistema: o squeezing e a pos
Publicado em: 2008
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2. Sistema bicamada: formação e condensação de Bose-Einstein de éxcitons indiretos
Nessa contribuição estudamos os chamados éxcitons indiretos em sistemas de dois poços quânticos, chamados sistemas bicamada. A primeira parte é dedicada ao estudo da formação dos éxcitons de forma esquemática. Para tanto, modelamos a criação de bósons a partir da aniquilação de pares de férmions. Esse modelo apresenta uma transição de fase
Publicado em: 2008
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3. Bi-estabilidade óptica &condensação de Bose-Einstein de polaritons
Optical bistability e®ects (OB) are intrinsically related to the gain media non-linearities. In microcavities, this behavior is due to Kerr effect proportionate by polariton number, generated resonantly in strong -coupling regime, instead of the photon number. The sample was held in a cold-finger cryostat at a temperature of 10K and is constituted by two DB
Publicado em: 2008