Ion Implantation
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13. Implantação iônica de baixa energia em polímero para desenvolvimento de camadas compósitas nanoestruturadas condutoras litografáveis. / Low energy ion implantation into polymers to develop conductive composite layers for lithography.
Electronics using polymers instead of silicon is a recent research area with promising economic perspectives. Polymer with metallic particles composites presents interesting electrical, magnetic and optical properties and they have been produced by a broad variety of techniques. Metal ion implantation using plasma is one of the used methods to obtain conduct
Publicado em: 2010
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14. Modificação e caracterização da superfície do aço inoxidável Martensítico AISI 410 / Surface modification and characterization of the AISI 410 Martensitic stainless steel
This work deals about the surface modification of the AISI 410 martensitic stainless steel. The modification of steel surfaces is important for the improvement of its mechanical and tribological properties. Among the modification processes, there are coating, deposition of thin films, and ion implantation. The AISI 410 stainless steel is widely applied by ma
Publicado em: 2010
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15. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes / Structural study of semiconductors nanosystems and implanted semiconductors by means of n-beams X-ray diffraction
In this paper, X-ray multiple diffraction (MD) associated with the advantages of synchrotron radiation appears as a high-resolution microprobe and it is used to obtain relevant contributions to the study of structural properties of semiconductor materials, as they present themselves nanosystems epitaxial or implanted with ions. The study and detection of neg
Publicado em: 2010
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16. Characteristics of austenitic stainless steel nitrided in a hybrid glow discharge plasma
A nitriding process based on two distinct nitrogen glow discharge modes, with sample temperatures ranging from 380 0C to 480 0C, was employed to treat the surface of austenitic stainless steel (SS 304). The temperature is controlled exclusively by switching the operation conditions of the discharges. First mode of operation is the conventional one, named cat
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2009-09
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17. Defect engineering in H and He implanted Si
The present work relates an investigation of H2 + and He+ coimplanted (001)-Si substrates. The phenomena of blistering and exfoliation were studied by SEM as a function of the implantation parameters (energy, fluence, current and H/He ration) and annealing protocol. A window behavior as function of the implanted fluence was observed and two distinct fluence
Publicado em: 2009
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18. Redistribuição e ativação de dopantes em Si com excesso de vacâncias
A redistribuição e ativação elétrica dos dopantes tipo n (As e Sb) e tipo p (Ga e In) em Si com excesso de vacâncias foram analisadas. As vacâncias foram geradas por implantação iônica de altas doses de oxigênio ou nitrogênio em alta temperatura, de acordo com procedimentos já estudados. Em seguida foram implantados os dopantes com dose de 5x101
Publicado em: 2009
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19. IMPLEMENTAÇÃO DA TÉCNICA DE FOTOACÚSTICA DE CÉLULA ABERTA PARA OBTENÇÃO DA DIFUSIVIDADE TÉRMICA DE METAIS
The photo-acoustic technique has become a standard photo-thermal method for carrying out diverse studies on solids materials. Photo-thermal phenomena in solids results from a combination of thermal expansion, thermal diffusion, and thermo-elastic bending effects and can be obtained by c k . r a = where k is the thermal conductivity, r is the density, and c i
Publicado em: 2009
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20. Development of field emission devices fabricated by HI-PS technique. / Desenvolvimento de dispositivos de emissão por efeito de campo elétrico fabricados pela técnica HI-PS.
Um novo processo de fabricação de dispositivos de emissão de campo (FE) em silício (Si) é apresentado nesta tese, baseado na potencialidade de utilização da técnica de microusinagem denominada HI-PS (Hydrogen Ion Porous Silicon), que trata da combinação entre processos de implantação de hidrogênio e silício poroso. Por meio do procedimento prop
Publicado em: 2008
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21. Investigation of hyperfine interactions in pure silicon and NTD silicon by means of perturbed angular γ-γ correlation spectroscopy / Investigação de interações hiperfinas em silício puro e silício NTD pela técnica de correlação angular gama-gama perturbada
In the present work, a microscopic investigation of hyperfine interactions in single crystal silicon samples was carried out by means of Perturbed Angular γ-γ Correlation technique (PAC), which is based in hyperfine interactions. In order to achieve these measurements, it was used 111In ->111Cd radioactive probe nuclei, which decay through the we
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 22/02/2007
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22. PROPRIEDADES MECÂNICAS E TRIBOLÓGICAS DE AÇO AUSTENÍTICO 304 SUBMETIDO À NITRETAÇÃO POR: IMPLANTAÇÃO IÔNICA E IMPLANTAÇÃO IÔNICA POR IMERSÃO EM PLASMA.
The aim of this work is to characterize the mechanical and tribological properties of AISI 304 austenitic stainless steel submitted to N+ ion implantation and Nitrogen plasma immersion ion implantation (PI3). The ion implantation conditions were to obtain a plateau distribution of N íons in atomic concentrations of up to 27. The PI3 nitretation were perform
Publicado em: 2007
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23. Modificação das propriedades superficiais de materiais através da implantação de cromo por recoil por meio de implantação iônica por imersão em plasma de nitrogênio / Modification of surface properties of materials by chromium recoil implantation using nitrogen plasma immersion ion implantation
The objective of this work is the modification of the surface properties of conductive materials (carbon steel) and semiconductors (silicon) using the implantation of chromium atoms, deposited on the surface of materials as thin films, using plasma immersion ion implantation. In this study we seek to understand the basic process of recoil implantation (using
Publicado em: 2007
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24. Modification of surface properties of materials by chromium recoil implantation using nitrogen plasma immersion ion implantation / Modificação das propriedades superficiais de materiais através da implantação de cromo por recoil por meio de implantação iônica por imersão em plasma de nitrogênio
Este trabalho tem por objetivo a modificação das propriedades superficiais de materiais condutores (aço carbono) e semicondutores (silício) utilizando a implantação de átomos de cromo, depositados na superfície dos materiais sob a forma de um filme fino, por meio da implantação iônica por imersão a plasma. O estudo visa entender o processo básic
Publicado em: 2007