Impureza
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13. Trânsito e impureza: São Cosme, São Damião, Ibeji, Doum
Parte do livro:Conexões: ensaios em história da arte
Autor(es): Lopes, Tadeu Mourão
EDUERJ. Publicado em: 2014
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14. Caracterização da hexaferrita de bário obtida pelo método cerâmico
Este trabalho envolveu a caracterização microestrutural, vibracional e das propriedades dielétricas da hexaferrita de bário obtida pelo método cerâmico. A hexaferrita de bário (BaFe12O19) foi processada por moagem de baixa energia seguida de tratamento térmico. A caracterização estrutural indicou que amostras calcinadas apresentaram a fase desejada
Cerâmica. Publicado em: 2013-09
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15. Perda de pressão estática em uma coluna de grãos de quinoa
Objetivou-se, neste trabalho, avaliar os efeitos do fluxo de ar sobre a queda da pressão estática em massa granular de quinoa, cultivar Real, com diferentes teores de impurezas; ajustar os modelos matemáticos aos dados experimentais obtidos e selecionar o modelo que melhor represente o fenômeno. Inicialmente, o produto estava isento de impurezas e com te
Rev. bras. eng. agríc. ambient.. Publicado em: 2013-08
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16. O método do grupo de renormalização de teoria de campos aplicado ao modelo de Anderson de uma impureza / The renormalization group method of field theory apllied to single impurity Anderson model
Nesta dissertac~ao, aplicamos o metodo do grupo de renormalizac~ao (GR) perturbativo constru do a partir de uma abordagem mista que mescla um calculo ate um loop para os acoplamentos efetivos e um calculo ate dois loops para a auto-energia do modelo de Anderson de uma impureza com simetria partcula-buraco. Para isso, utilizamos o metodo diagramatico de Feynm
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/06/2012
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17. Efeitos de hibridização correlacionada no modelo de Anderson de uma impureza / Effects of correlated hybridization in the single-impurity Anderson model
O desenvolvimento de novos materiais tem tido papel fundamental nos recentes avanços tecnológicos. Esse progresso depende muito de fundamentos teóricos que abordem mecanismos microscópicos da matéria, ou seja, como átomos e moléculas interagem e geram configurações especiais, responsáveis pelo seu comportamento macroscópico. Dentre os materiais de
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 31/05/2012
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18. Análise enantiosseletiva da zopiclona, suas impurezas e metabólitos em formulações farmacêuticas e materiais biológicos / Enantioselective analysis of zopiclone, its impurities and metabolites in pharmaceutical formulations and biological materials
Zopiclona (ZO) é um hipnótico não-benzodiazepínico da classe ciclopirrolonas, indicada para o tratamento da insônia. A ZO é um fármaco quiral administrada como uma mistura racêmica; no entanto, a sua atividade farmacológica está principalmente relacionada com o enatiômero (+)-(S)-ZO, também conhecido como eszopiclona. A ZO é extensivamente metab
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 05/04/2012
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19. Densidade espectral da impureza para o modelo de Anderson / Spectral density for the impurity in Anderson model
Obtemos a expressão da densidade espectral de uma impureza no modelo de Anderson assimétrico. No regime de Kondo de baixas energias o modelo de Anderson descreve sistemas quânticos com impurezas magnéticas em meios não magnéticos. Para energias características do orbital de impureza simples ou duplamente ocupado iguais a εf e 2εf+U, re
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/02/2012
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20. Um problema de interferência quântica em nanoestruturas metálicas
Um problema relacionado ao fenômeno de interferência quântica em um sistema nanoestruturado é investigado através do estudo da segregação de impurezas substitucionais. Tais sistemas são formados pela justaposição de camadas de átomos de metais de transição. A segregação de impurezas substitucionais é tratada a partir do cálculo da variação
TEMA (São Carlos). Publicado em: 2012-04
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21. Caracterização estrutural e eletrônica da zircônia pura e com defeitos e impurezas / Structural and electronic characterization of zirconia, pristine and with impurities
In this investigation we studied the electronic properties and the structural stabilities of zirconia (ZrO2), as well as oxygen vacancy and Ce substitutional impurity. The investigations were carried by computational simulations using ab initio methods, based on the density functional theory and the APW + lo (Aumengted Plane Waves plus local orbitals) method
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 09/12/2011
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22. Estudo analítico de sistemas de Heisenberg bidimensionais dopados e com acoplamentos anisotrópico e biquadrático / Analytical study of bidimensional Heisenberg systems doped and with anisotropic and biquadratic couplings
No trabalho desenvolvido estudamos alguns modelos magnéticos por meio de duas abordagens diferentes. Nos dois primeiros foi usada a aproximação contínua para o antiferro-magnetismo dada pelo modelo sigma não-linear O(3) (MSNL). Tal modelo é semelhante à teoria de Yang-Mills e possui como soluções configurações de origem topológica, os chamados sk
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/12/2011
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23. Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes. / Physical properties of SnO2: defects, impurities, alloys and superlattices.
O dioxido de estanho na estrutura rutila (SnO2) é um semicondutor de gap largo e faz parte da classe dos óxidos condutores transparentes (TCO). Possui gap direto de 3,6 eV e condutividade do tipo n, mesmo quando não dopado intencionalmente. Estudos teóricos e experimentais atribuem este comportamento à presença de defeitos intrínsecos. Por outro lado,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/08/2011
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24. AnÃis quÃnticos semicondutores ideais / Ideal semiconductor quantum rings
Nos Ãltimos anos, numerosos avanÃos alcanÃados nas tÃcnicas de crescimento de materiais deram origem à formaÃÃo de vÃrias heteroestruturas de semicondutores, onde se podem confinar elÃtrons e buracos em uma ou mais direÃÃes, atravÃs de barreiras de potencial. Muitos pesquisadores recentemente tÃm estudado estruturas de baixas dimensionalidades,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/08/2011