Fotoluminescencia Resolvida No Tempo
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13. Confinamento e localização nas propriedades opticas de heteroestruturas semicondutoras
O objetivo deste trabalho, é a determinação de efeitos de interface nas propriedades ópticas de heteroestruturas semicondutoras. Sendo esta um área que tem tido intenso desenvolvimento nos últimos 20 anos, cabe perguntar que novas contribuições podem ser feitas. Uma particularidade deste campo de trabalho, está em que modelos simples conseguem expli
Publicado em: 2000
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14. Fotoluminescencia resolvida no tempo em a-Si1-x Cx:H
The low temperature luminescence quantum efficiency h of amorphous hydrogenated silicon-carbon alloys a-Si1-xCx:H decreases with increasing carbon concentration below 25%. For higher carbon concentrations h increases with increasing carbon concentration and is almost temperature independent. The objective of this work is to understand the recombination proce
Publicado em: 1997
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15. Investigação de interfaces em heteroestruturas semicondutoras
Este trabalho foi centrado no estudo das propriedades ópticas de heteroestruturas quânticas com características especiais relativas às rugosidades das interfaces. Estas estruturas apresentam "ilhas", obtidas a partir de poços quânticos (QWs) de InAs/lnP e "fios quânticos" (QWWs), obtidos a partir de poços de InGaAsP/lnP. As técnicas experimentais ut
Publicado em: 1995
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16. Luminescencia e propriedades oticas e vibracionais em carbetos de silicio amorfo hidrogenado não estequiometrico depositados por descarga luminescente
Os materiais amorfos são bem conhecidos desde ha muito tempo, tendo como melhor exemplo o vidro. Somente recentemente o estudo de suas propriedades e suas aplicações na microeletrônica vem crescido dramaticamente. Isto é conseqüência do sucesso obtido por Spear e LeComber(1) no controle das propriedades elétricas do silício amorfo hidrogenado (a-Si:
Publicado em: 1990