Fotoluminescencia Resolvida No Tempo
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1. Fotogeração, migração e dissociação do éxciton em filmes de Polifluorenos (amorfos e ordenados) próximos de interface orgânica/inorgânica / Photogeneration, migration and dissociation of the exciton in polymer films (amorphous and ordered) near organic/inorganic interface
Neste trabalho, foram investigados os processos de migração e dissociação do éxciton em filmes ultrafinos de poli(9,9 dioctilfluoreno) (PFO) com espessura menores que o raio típico de migração excitônica (10 nm) próximos de interface semicondutora orgânica e inorgânica. Os filmes de PFO foram produzidos utilizando a técnica de
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 23/11/2012
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2. Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs / Interface effect on the optical properties of InP/GaAs quantum dots
We studied the effect of different interface conditions on the optical properties of InP/GaAs self-assembled quantum dots grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. InP/GaAs quantum dots is expected to present type II band alignment, and only electrons are confined, whereas the holes are localized in the GaAs layers around the quantum do
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/08/2012
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3. Efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante tipo-p
Neste trabalho investigamos efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante p-i-p de GaAs/AlAs na presença de campo magnético paralelo à corrente túnel. Para isso, realizamos um estudo sistemático das curvas características de corrente-voltagem I(V) e da fotoluminescência (PL) resolvida em polarização das camadas do contato e do poço-quântico
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/03/2012
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4. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
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5. Éxcitons em nanocristais de silício / Excitons in Silicon nanocrystals
As propriedades ópticas de nanocristais de silício (Si-ncs) têm sido extensivamente estudadas após a primeira demonstração em 1990 de fotoluminescência altamente eficiente em silício poroso. Apesar dos progressos no entendimento da natureza da alta eficiência da luminescência dos Si-ncs e da enorme versatilidade para aplicações optoeletrônicas,
Publicado em: 2010
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6. Relaxação do spin em poços quânticos de InGaAs/GaAs dopados com Mn / Spin relaxation of electrons in InGaAs/GaAs quantum wells Mn-doped barriers
Nesta dissertação investigamos os efeitos dos íons de Mn na dinâmica do spin de elétron em poços quânticos de InGaAs/GaAs. Os poços têm um gás de buracos gerado por dopagens em suas barreiras, sendo uma dopagem tipo delta de Mn numa das barreiras e uma dopagem tipo delta de C, na outra. A densidade de buracos foi determinada mediante medidas de tra
Publicado em: 2010
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7. Desenvolvimento e caracterização fototérmica de novos materiais vítreos dopados com íons emissores terras-raras
Neste trabalho foram desenvolvidas duas novas matrizes vítreas, uma fosfato e outra borato, denominadas PAN (40P2O5 . 20 Al2O3 . 40Na2CO3 (mol%)) e BAN (40B2O3 . 20 Al2O3 . 40Na2CO3 (mol%)), respectivamente. Estas matrizes foram dopadas com concentrações crescentes de íons de neodímio e praseodímio, visando o estudo de propriedades ópticas e térmicas
Publicado em: 2009
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8. Photophysics in nanostructured films containing poly(p-phenylene vinylene) (PPV) and acceptor species. / Fotofísica em heteroestruturas contendo o polímero emissor PPV e espécies supressoras
A compreensão dos caminhos de desativação não radiativa em polímeros conjugados é fundamental para o uso desses materiais em dispositivos luminescentes, células fotovoltaicas e sensores. Nesta tese, os processos não radiativos em filmes automontados de polímero luminescente foram investigados via análise da supressão de intensidade de fotoluminesc
Publicado em: 2009
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9. Estudo da dinâmica de portadores em diodos de tunelamento ressonante tipo-p
Neste trabalho, realizamos um estudo de fotoluminescência resolvida no tempo em diodos de tunelamento ressonante do tipo p. Em particular, estudamos estruturas p-i-p de GaAs/AlAs com barreiras de largura simétrica e assimétrica. Desta forma, os efeitos observados são predominantemente referentes a dinâmica de tunelamento de elétrons fotocriados na estr
Publicado em: 2007
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10. Propriedades opticas de pontos quanticos empilhados de InP/GaAs / Optical properties of stacked inP/GaAs quantum dots
Nesta dissertação, estudamos as propriedades ópticas e estruturais de pontos quânticos (QDs) empilhados de InP/GaAs, crescidos por método de auto-formação, conhecido como o modo Stranskii-Krastanov, em um sistema de epitaxia por feixe químico. Os pontos quânticos de InP/GaAs possuem alinhamento das bandas tipo-II nas interfaces, onde somente o elét
Publicado em: 2007
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11. Optical properties of stacked InP/GaAs quantum dots / Propriedades opticas de pontos quanticos empilhados de InP/GaAs
Nesta dissertação, estudamos as propriedades ópticas e estruturais de pontos quânticos (QDs) empilhados de InP/GaAs, crescidos por método de auto-formação, conhecido como o modo Stranskii-Krastanov, em um sistema de epitaxia por feixe químico. Os pontos quânticos de InP/GaAs possuem alinhamento das bandas tipo-II nas interfaces, onde somente o elét
Publicado em: 2007
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12. Investigação de Er3+ nos dois sítios cristalográficos de Gd2SiO5 através da fotoluminescência resolvida no tempo
Gadolinium oxyortho-silicate, Gd2SiO5, presents a monoclinic structure with two crystallographic sites in which Gd3+ ions are equally distributed with coordination numbers CN, 7 and 9, respectively. By doping this host with Er3+ it is possible to distinguish and attribute the two sites by means of lifetime determination of the 4S3/2 state, (in this case, Er3
Química Nova. Publicado em: 2000-12