Filmes Ultra Finos
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1. Caracterização in-situ e determinação estrutural de filmes ultra-finos de FeO/Ag(111), Fe3O4/Pd(111), Grafeno/Ni(111) e Au/Pd(100)
As propriedades físicas de sistemas de baixa dimensionalidade são bastante inuenciadas pelas primeiras camadas atômicas, e uma maneira de se estudar essas poucas camadas é através da preparação de lmes ultra-nos sobre substratos monocristalinos. É de especial interesse a determinação das propriedades estruturais, eletrônicas e magnéticas de tais
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/03/2011
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2. Composites of multiwall carbon nanotubes and a photocurable matrix epoxy-acrylate: mechanical, thermal and tribological / Compósitos de nanotubos de carbono e uma matriz epóxi-acrilato fotocurável: propriedades mecânicas, térmicas e tribológicas
Neste trabalho foi utilizado uma resina epóxi-acrilato fotocurável reforçada com nanotubos de carbono de paredes múltiplas (NCPM), nas proporções de 0,25% m/m NCPM e 0,75% m/m NCPM. Para a cura dos nanocompósitos na forma de filmes finos , por períodos de 12 e 24 horas, fabricou-se uma câmara de radiação ultra-violeta (UV-A). Buscando-se analisar
Publicado em: 2010
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3. Optical, mechanical and structural properties of amorphous carbon films / Propriedades opticas, mecanicas e estruturais de filmes de carbono amorfo
Neste trabalho desenvolvemos um sistema de deposição de filmes finos pela técnica de arco catódico filtrado (FCVA- Filtered Cathodic Vacuum Arc), que possibilita o desenvolvimento de ligas metálicas e, sobretudo, a deposição de filmes de carbono amorfo altamente tetraédrico. Utilizando este sistema desenvolvemos filmes de carbono amorfo (a-C) com ele
Publicado em: 2009
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4. Passivação da superfície do Germânio visando ao uso da nanoeletrônica
Investigamos a passivação superficial do Germânio visando ao uso em Nanoeletrônica, que requer: (i) preparação de uma superfície plana e isenta de contaminantes e (ii) crescimento ou deposição de um dielétrico termodinamicamente estável em contato com o substrato nos ambientes e temperaturas usuais na fabricação de dispositivos. Na primeira etap
Publicado em: 2009
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5. Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS / High K gate insulators for MOS technology
High k insulators for the next generation (sub-32 nm CMOS (complementary metaloxide-semiconductor) technology), such as titanium oxide (TiOx), titanium oxynitride (TiOxNy), titanium-aluminum oxynitride (AlxTiwOyNz), titanium-aluminum nitride (AlxTiwNz) and titanium-aluminum oxide (AlxTiwOy), have been obtained by Ti or Ti/Al e-beam evaporation, with addition
Publicado em: 2008
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6. Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura. / Characterization of silicon dioxide thin films deposited in a HD-PECVD reactor from TEOS at ultra low temperature.
This work reports on the results obtained from high-density plasma enhanced chemical vapor deposited silicon oxide films at ultra low temperature, i.e. 30°C, using TEOS vapor as the silicon source oxidized with assistance of argon. The objectives of this work are: first, understand the phenomena that conducts the chemical vapor deposition in high density re
Publicado em: 2007
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7. Processamento de materiais carbonáceos por pulsos intensos de laser em alta pressão
Neste trabalho foi desenvolvida uma câmara de alta pressão com janela de safira para processamento de filmes finos com pulsos de laser de alta potência, num regime de resfriamento ultra-rápido e geometria confinada. As amostras estudadas consistiram de filmes finos de carbono amorfo depositados sobre substratos de cobre. Os processamentos foram realizado
Publicado em: 2007
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8. Caracterização de Fe granular em matriz de Al/sub 2/O/sub 3/
Neste trabalho é apresentada a caracterização de amostras de filmes finos granulares de Fe- Al2O3, obtidas por evaporação em ultra alto vácuo. Duas amostras com composições diferentes foram obtidas. A espectroscopia de Espalhamento de Rutherford (Rutherford Backscattering Spectroscopy - RBS) foi utilizada para determinar a fração volumétrica de me
Publicado em: 2007
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9. Transporte atômico e estabilidade em dielétricos alternativos para a tecnologia do Si
Esta tese trata do estudo experimental de fenômenos de transporte atômico e reação química em filmes ultra-finos dielétricos sobre Si. Esses dielétricos são materiais alternativos ao óxido de silício utilizado em dispositivos basedos na estrutura metal-óxido-semicondutor. Foram investigados os seguintes materiais: silicato e aluminato de háfnio,
Publicado em: 2007
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10. Investigação estrutural de filmes moleculares por microscopia de varredura por força / Structural Investigation of molecular films by scanning force microscopy
Molecular films constituted by ruthenium polypyridine complexes, triangular ruthenium acetate clusters, and polymetallated porphyrins have been systematically investigated, providing a wide range of functional interfaces for electronic devices, sensors, photoconversion and electrocatalytical cells. Such films have been generated by dip coating, drop casting
Publicado em: 2007
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11. Estudo in-situ de filmes ultrafinos de óxidos de ferro sobre Ag(100) por técnicas de superfície
A produção e caracterização de filmes ultra finos de óxidos de Fé crescidos por epitaxia de feixe molecular (BEM) sobre a superfície Ag (100) em condições de ultra-alto-vácuo foi realizada com o principal objetivo de se produzir a fase FeO. Orientado na direção (100) e com excelente qualidade cristalográfica. Os filmes foram preparados com 57 Fe
Publicado em: 2006
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12. Propriedades estruturais e eletronicas de filmes ultra finos de In, Sn e Sb, crescidos sobre Pd (111), estudados por PED e XPS / Structural and electronic properties of ultrathin films of In, Sn and Sb grow on Pd (111), studied by PED and XPS
Nesse trabalho nos propomos a estudar a estrutura eletrônica e geométrica de ligas de superfície à partir de filmes ultra finos, da ordem de monocamada atômica , crescidos por MBE sobre substratos monocristalinos. Os filmes finos foram crescidos in situ e analizados por XPS (X-Ray Photoelectron Spectroscopy), PED (Photoelectron Diffraction), LEED (Low E
Publicado em: 2005