Excitons
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13. Optical properties of semiconductor type II quantum dots / Propriedades opticas de pontos quanticos semicondutores tipo II
No presente trabalho apresentamos um estudo da luminescência de érbio em nanocristais de silício (nc-Si) e nanofios de óxido de zinco (nw-ZnO). Os nanocristais de silício com érbio são obtidos através do tratamento térmico de filmes finos amorfos de sub-óxidos de silício (SiOx) preparados por rf-sputtering, variando a concentração de Oxigênio e
Publicado em: 2009
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14. O plÃsmon da regiÃo de recobrimento da ligaÃÃo quÃmica como ferramenta para caracterizaÃÃo de materiais
Important issues can be raised about the possibility of relations between macroscopic properties of materials and concepts, introduced recently, of the chemical bond overlap polarizability (PR) and the concept of ionic specific valence (VIE). A proposal in which the overlap region of chemical bond is considered as a âplasmon‐likeâ charge distribution
Publicado em: 2009
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15. Sistema bicamada: formação e condensação de Bose-Einstein de éxcitons indiretos
Nessa contribuição estudamos os chamados éxcitons indiretos em sistemas de dois poços quânticos, chamados sistemas bicamada. A primeira parte é dedicada ao estudo da formação dos éxcitons de forma esquemática. Para tanto, modelamos a criação de bósons a partir da aniquilação de pares de férmions. Esse modelo apresenta uma transição de fase
Publicado em: 2008
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16. Cálculo e determinação experimental da energia de ligação excitônica em poços quânticos simples e duplos de AlGaAs/GaAs
Este trabalho objetiva o cálculo e a determinação experimental da energia de ligação excitônica em poços quânticos simples e duplos. Foram estudadas duas amostras, as quais possuem, no total, um poço quântico simples e três poços quânticos duplos de Al0.25Ga0.75As/GaAs com diferentes espessuras de barreira central. Nos poços duplos, o material
Publicado em: 2008
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17. Transições ópticas em poços quânticos múltiplos com diferentes orientações cristalográficas
Neste trabalho estudamos as transições ópticas em poços quânticos múltiplos de GaAs/AlxGa1-xAs, crescidos por epitaxia por feixe molecular sobre os substratos de GaAs orientados nas direções [100], [311]A e [311]B. Os parâmetros estruturais dos poços quânticos foram determinados por Difratometria de Alta Resolução de Raios-X. O estudo das transi
Publicado em: 2008
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18. Síntese e caracterização de copolímeros randônicos poli[bis-(fenilenovinileno)-stat-(1,8-bis-(2,6-dioximetano-1,4-fenilenovinileno)-dioxioctano)-1,4-fenileno)] e aplicação em diodos emissores de luz orgânicos (OLEDs). / Syntesis and characterization of random copolymers poli[bis (phenylene-vinylene)-stat-(1,8-bis-(2,6-dioxymethane-1,4-phenylene-vinylene)-dioxyoctane)-1,4-phenylene)] and application in organic light emission diodes.
Com o intuito de melhorar a eficiência dos dispositivos emissores de luz poliméricos uma das técnicas utilizadas é o confinamento da conjugação, diminuindo as perdas de energia em sítios de extinção, como fins de cadeia, defeitos ou armadilhas. Além disso, o confinamento quântico permite o controle do comprimento de onda emissivo desses materiais.
Publicado em: 2008
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19. Confinamento quÃntico em hetero-estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade.
Os materiais semicondutores sÃo responsÃveis pelo grande desenvolvimento na indÃstria eletrÃnica e surgimento de novas tecnologias. O conceito de hetero-estrutura deu um grande impulso à fÃsica do estado sÃlido. à impossÃvel imaginar a moderna fÃsica do estado sÃlido sem hetero-estruturas semicondutoras. A fÃsica de semicondutores està atualment
Publicado em: 2008
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20. Temperature-dependent photoluminescence spectra of GaAsSb/AlGaAs and GaAsSbN/GaAs single quantum wells under different excitation intensities
The mechanism for low-temperature photoluminescence (PL) emissions in GaAsSb/AlGaAs and GaAsSbN/GaAs strained-layer single quantum wells (SQWs), grown by molecular-beam epitaxy, is studied in detail, using PL spectroscopy as a function of temperature and excitation intensity. In all samples, the PL peak energy as well as the full width at half maximum (FWHM)
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2007-12
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21. Espectros fractais em sistemas nanoestruturados e cristais fotônicos
O estudo das excitações elementares (fótons, fônons, plasmons, polaritons, polarons, excitons e magnons) em sólidos cristalinos e sistemas nanoestruturados, entre os quais destacamos os materiais isolantes, semicondutores e magnéticos, constitui um importante campo ativo na pesquisa em física do estado sólido e em física estatística. Dentro deste e
Publicado em: 2007
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22. Propriedades opticas de pontos quanticos empilhados de InP/GaAs / Optical properties of stacked inP/GaAs quantum dots
Nesta dissertação, estudamos as propriedades ópticas e estruturais de pontos quânticos (QDs) empilhados de InP/GaAs, crescidos por método de auto-formação, conhecido como o modo Stranskii-Krastanov, em um sistema de epitaxia por feixe químico. Os pontos quânticos de InP/GaAs possuem alinhamento das bandas tipo-II nas interfaces, onde somente o elét
Publicado em: 2007
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23. Optical properties of stacked InP/GaAs quantum dots / Propriedades opticas de pontos quanticos empilhados de InP/GaAs
Nesta dissertação, estudamos as propriedades ópticas e estruturais de pontos quânticos (QDs) empilhados de InP/GaAs, crescidos por método de auto-formação, conhecido como o modo Stranskii-Krastanov, em um sistema de epitaxia por feixe químico. Os pontos quânticos de InP/GaAs possuem alinhamento das bandas tipo-II nas interfaces, onde somente o elét
Publicado em: 2007
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24. Sistemas Nanoestruturados: Heteroestruturas Quasi-Periódicas de Nitretos e Cálculos Ab initio em Polimorfos CaCO3 / Sistemas Nanoestruturados: Heteroestruturas Quasi-Periódicas de Nitretos e Cálculos Ab initio em Polimorfos CaCO3
As propriedades físicas e o espectro de excitações em materiais óxidos e semicondutores são apresentados neste trabalho, composto primeiramente por um estudo sobre o confinamento de fonons ópticos em sistemas artificiais baseados em nitretos III-V, crescidos periodicamente e quasi-periodicamente. A segunda parte deste trabalho descreve cálculos de pri
Publicado em: 2007