Epitaxia De Feixe Molecular
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1. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
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2. Modelagem da formação de estruturas tridimensionais em crescimento epitaxial / Modelling of three-dimensional structures formation in epitaxial growth
Nesta tese estudamos o surgimento de estruturas tridimensionais auto-arranjadas em superfícies crescidas por epitaxia por feixe molecular (MBE). Foram utilizadas simulações de Monte Carlo cinético para a descrição de dois casos específicos dessas morfologias: formação de morros e de nucleação de ilhas 3d de escalas nanométricas conhecidas como po
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/07/2011
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3. Caracterização in-situ e determinação estrutural de filmes ultra-finos de FeO/Ag(111), Fe3O4/Pd(111), Grafeno/Ni(111) e Au/Pd(100)
As propriedades físicas de sistemas de baixa dimensionalidade são bastante inuenciadas pelas primeiras camadas atômicas, e uma maneira de se estudar essas poucas camadas é através da preparação de lmes ultra-nos sobre substratos monocristalinos. É de especial interesse a determinação das propriedades estruturais, eletrônicas e magnéticas de tais
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/03/2011
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4. Estruturas magneticas do EuSe por difração magnetica de raios-X / Magnetic structures of EuSe by magnetic X-ray diffraction
Esta dissertação apresenta um estudo das estruturas magnéticas em um filme de EuSe por difração magnética de raios-X. Usamos um filme de EuSe de 3200 Å , com uma alta qualidade cristalina e crescido por epitaxia de feixe molecular sobre um substrato de BaF2(111). A difração magnética de raios-X revelou um diagrama de fases exibindo uma forte hister
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/07/2010
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5. Fotorefletância em pontos quânticos auto-organizados de InAs crescidos sobre GaAs e no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs
Neste trabalho estudamos pontos quânticos QDs (quantum dots) de InAs auto-organizados crescidos sobre o GaAs, formando uma estrutura convencional de quantum dots, e crescidos no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs, formando uma estrutura denominada DWELL (dot-in-a-well). Utilizamos cinco amostras de QDs de InAs crescidas através da té
Publicado em: 2010
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6. Análise FORC em nanofios de Ni e Co e excitação de mágnons de superfície em filmes de O-Fe/W(001) via SPEELS / FORC analysis of Ni and Co nanowires and surface magnon excitation on O-Fe/W(001) films via SPEELS
Estudamos o comportamento estático e os mecanismos de inversão da magnetização de arranjos auto-organizados de nanofios de Ni e Co com alta anisotropia de forma. Os arranjos são obtidos a partir da anodização em dois passos de lâminas de Al e subseqüente eletrodeposição do metal magnético. Sua caracterização estrutural é realizada por microsco
Publicado em: 2010
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7. Projeto e construção de um sistema de crescimento epitaxial por feixe molecular / Project and construction of a molecular beam epitaxy growth system
A técnica de crescimento epitaxial por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy – MBE) pode ser considerada como uma das mais importantes para a obtenção de filmes finos, heteroestruturas e nanoestruturas nos dias atuais, permitindo a obtenção de filmes de excelente qualidade, além de permitir o acompanhamento do crescimento in situ através de
Publicado em: 2009
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8. Processos litográficos em filmes epitaxiais de compostos IV-VI para medidas Hall e o estudo da dopagem do telureto de chumbo com flureto de bário / Lithographic processes in epitaxial films of IV-VI compounds for Hall measurements and the study of lead telluride doping with barium flouride
A primeira parte do trabalho consistiu na implementação de técnicas de litografia para a fabricação da geometria Hall em filmes IV-VI crescidos sobre substratos de BaF_2 (111). Um estudo prévio da difusão do In em filmes de PbTe mostrou a viabilidade da utilização do In como contato metálico. Na realização dos processos litográficos, várias sol
Publicado em: 2009
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9. Formação de nanopartículas de Sn e PbSe via implantação iônica em Si(100)
O silício (Si) é o material mais utilizado na fabricação de dispositivos microeletrônicos e fotovoltaicos devido às suas excelentes propriedades físicas e ao alto grau de desenvolvimento das tecnologias de produção alcançadas pela indústria. Conseqüentemente, materiais compatíveis com o Si são alternativas importantes para ampliar o desempenho
Publicado em: 2009
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10. Processos litográficos em filmes epitaxiais de compostos IV-VI para medidas Hall e o estudo da dopagem do telureto de chumbo com flureto de bário / Lithographic processes in epitaxial films of IV-VI compounds for Hall measurements and the study of lead telluride doping with barium flouride
The first part of the work dealt with the application of lithographical techniques to fabricate Hall geometry of IV-VI films grown on (111) BaF_2 substrates. A previous study of In diffusion in PbTe films confirmed the viability of using In as a metallic contact. During the lithographic process, some solutions were implemented to resolve the problems generat
Publicado em: 2009
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11. Multicamadas magnéticas de telureto de európio e semicondutores iv-vi crescidas por epitaxia de feixe molecular / Magnetic multilayers of europium telluride and IV-VI semiconductors grown by molecular beam epitaxy
In this work, thin EuTe films and EuTe/PbTe(SnTe) superlattices were grown, and their structural and magnetic properties were characterized. The molecular beam epitaxial growth parameters of the samples were optimized, particularly those of the EuTe/SnTe SLs. To this goal, the growth modes of EuTe on SnTe and vice versa were investigated, and the influence o
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/10/2008
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12. Multicamadas magnéticas de telureto de európio e semicondutores iv-vi crescidas por epitaxia de feixe molecular / Magnetic multilayers of europium telluride and IV-VI semiconductors grown by molecular beam epitaxy
Neste trabalho foram crescidos e investigados, dos pontos de vista estrutural e magnético, filmes finos de EuTe e superredes (SL) de EuTe/PbTe e de EuTe/SnTe. A primeira etapa do trabalho consistiu na otimização dos parâmetros de crescimento por epitaxia de feixe molecular das amostras, em particular das SLs de EuTe/SnTe. Para isto, foram investigados os
Publicado em: 2008