Dopagem Com Boro
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1. Ultramicroelectrode array behavior of electrochemically partially blocked boron-doped diamond surface
Demonstra-se, pela primeira vez usando experimentos simples de voltametria cíclica, que a pré-polarização anódica de eletrodos de diamante dopado com boro (DDB) conduz a superfícies parcialmente bloqueadas. Eletrodos de DDB anodicamente pré-polarizados, com diferentes níveis de dopagem de boro, apresentaram respostas de voltametria cíclica sigmoidai
J. Braz. Chem. Soc.. Publicado em: 2013-07
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2. Propriedades eletromecânicas de nanoestruturas por microscopia de varredura por sonda
Nesta tese apresentaremos estudos de propriedades eletromecânicas de nanotubos de carbono de parede simples (SWNTs), de lubrificantes sólidos (grafeno, dissulfeto de molibdênio e talco (ou pedra sabão)) e também de outros materiais esfoliáveis como seleneto de bismuto e mica. Durante a realização de todo o trabalho no Laboratório de Nanoscopia do DF
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/03/2012
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3. Adsorção e incorporação de impurezas em defeitos estendidos em folhas de grafeno / Adsorção e incorporação de impurezas em defeitos estendidos em folhas de grafeno
Nesse trabalho, estudou-se (i) a adsorção de átomos de ouro em folhas e nanofitas de grafeno, (ii) a adsorção de átomos de hidrogênio (H) e a incorporação de boro e nitrogênio em fronteiras de grão de folhas de grafeno. O intuito do estudo foi de se determinar quais são as influências dessas impurezas nas propriedades eletrônicas e a estabilida
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/02/2012
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4. Filmes de diamante nano/ultrananocristalinos dopados com boro: propriedades morfológicas, estruturais e eletroquímicas / Boron doped nano/ultrananocrystalline diamond films: morphological, structural and electrochemical properties
É apresentado um estudo sistemático do processo de obtenção e caracterização de filmes de diamante nanocristalino dopados com boro. Os filmes foram obtidos pela técnica HFCVD (\textit{Hot Filament Chemical Vapor Deposition}), utilizando como fonte de dopante uma solução de óxido de boro em metanol. A princípio, na primeira série de experimentos v
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/12/2011
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5. Estudo de sistemas nanoestruturados com propriedades eletrônicas ajustáveis
Nesta tese mostraremos resultados de cálculos por primeiros princípios aplicados ao estudo de dois sistemas nanoestruturados com propriedades eletrônicas ajustáveis. Estudamos dois sistemas diferentes: o primeiro sistema consiste em camadas monoatômicas e nanotubos do tipo BCN, onde estudamos propriedades estruturais e efeitos de desordem nas propriedad
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/04/2011
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6. Desenvolvimento de células solares em silício tipo n com emissor formado por Boro
O Sol é fonte de energia renovável e o seu uso para produzir energia elétrica é uma das alternativas promissoras para enfrentar os desafios energéticos e ambientais do novo milênio. O silício é o segundo elemento mais abundante da Terra. Este material semicondutor é largamente usado na indústria de células solares e dispositivos de microeletrônic
Matéria (Rio de Janeiro). Publicado em: 2011
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7. Magneto-transporte e magnetização em sistemas de carbono : filmes de diamante CVD dopado com boro e grafite HOPG implantado com Na
As propriedades magnéticas e de magneto-transporte de filmes finos de diamante dopado com boro e de amostras massivas de grafite pirolítico altamente orientado (HOPG) implantado com sódio foram estudadas experimentalmente em função da temperatura, do campo magnético aplicado e da concentração de impurezas. Os filmes de diamante foram produzidos com a
Publicado em: 2010
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8. Desenvolvimento de células solares em silício tipo n com emissor formado com boro
O Sol é fonte de energia renovável e o seu uso para produzir energia elétrica é uma das alternativas promissoras para enfrentar os desafios energéticos e ambientais do novo milênio. O silício é o segundo material mais abundante da Terra. Este material é largamente usado na indústria de células solares e microeletrônica, apresenta baixos índices
Publicado em: 2010
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9. Electroanalytical determination of nitrofurantoin (NFT) in drug and biological fluids using diamond electrode doped with boron / DeterminaÃÃo eletroanalÃtica de nitrofurantoÃna (NFT) em fÃrmaco e em fluido biolÃgico utilizando eletrodo de diamante dopado com boro
Este trabalho apresenta o estudo da quantificaÃÃo de nitrofurantoina (NFT) utilizando os filmes de diamante dopados com boro como material eletrÃdico. Estudos preliminares utilizando voltametria cÃclica (VC) mostraram que o mecanismo de reduÃÃo da nitrofurantoina (NFT) envolve adsorÃÃo e à influenciado pelo pH, o nÃvel de dopagem de boro no eletrod
Publicado em: 2008
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10. Contribuição para a sintese de diamante nanocristalino com dopagem de boro / Contribution towards the synthesis of boron doped nanocrystalline diamonds
This thesis presents a study of the growth and characterization of nano crystalline diamonds produced by the hot-filament chemical vapor deposition (CVD) with the introduction of boron during the growth process. Our objective was to produce samples with good electrical properties for field induced emission of electrons (FEE) to the vacuum. Characterization o
Publicado em: 2008
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11. Study of the First Principles of Nanotubes Carbon of Double Layer / Estudo de Primeiros Princípios de Nanotubos de Carbono de Camada Dupla
Neste trabalho foram estudadas as propriedades eletronicas e estruturais dos nanotubos de carbono de camada dupla (8,0)@(13,0) e (6,0)@(13,0) do tipo zig-zag dopados com os átomos de Nitrogênio e Boro tanto no tubo interno como no tubo externo. Para estudar tais propriedades, utilizamos o método ab initio com uso da teoria do funcional de densidade na apr
Publicado em: 2008
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12. Caracterização elétrica de oxinitretos de silício ultrafinos para porta PMOS obtidos por implantação de nitrogênio na estrutura Si-poli/SiO2/Si. / Electrical characterization of ultrathin silicon oxynitrides for pmos gate obtained by nitrogen implantation in the Si-poli/Si02/Si structure.
Neste trabalho foram fabricados e caracterizados eletricamente capacitores MOS com óxido de silício ultrafino (2,6 nm) com porta de silício policristalino (Si-poli) P+ e N+. Os capacitores MOS com porta de Si-poli dopados com boro tiveram a estrutura Si-poli/SiO2/Si previamente implantada com nitrogênio nas doses de 1.10POT.13, 1.10POT.14, 1.10POT.15e 5.
Publicado em: 2008