Dispositivos Dieletricos
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1. Síntese e caracterização de cerâmicas ferroelétricas de BaTiO3 modificadas com Sm3+
Neste trabalho, as propriedades físicas do sistema BaTiO3, modificado com o íon samário (Sm3+), são investigadas. As propriedades estruturais, microestruturais, ferroelétricas, dielétricas e elétricas foram analisadas em função do conteúdo de samário, considerando a fórmula Ba1-xSmxTiO3, sendo x = 0, 0.001, 0.002, 0.003 e 0.005. Os materiais fora
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 10/10/2012
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2. Desenvolvimento de antenas de microfita e antenas DRA Broadband
A busca por dispositivos cada vez menores e sem perda de desempenho vem sendo cada dia mais investigada pelos pesquisadores da área envolvendo eletromagnetismo apli- cado. Antenas utilizando materiais cerâmicos com uma alta constante dielétrica, sejam elas atuando como substrato do elemento patch radiante ou como sendo o próprio ele- mento radiante estã
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 02/09/2011
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3. Síntese e caracterização do sistema multiferróico PZT-BaM
Neste trabalho foram investigadas as propriedades ferroelétricas, elétricas e dielétricas de materiais multiferróicos a base de Pb(ZryTi1-y)O3 (y = 0.65) obtidas pelo método cerâmico convencional, conhecido comunemente como reação de estado sólido. Os sistemas Pb(Zr0.65Ti0.35)O3 (PZT) e BaFe12O19 (BaM) foram sintetizados separadamente. Em seguida, f
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/08/2011
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4. Estudo teórico e experimental de guias PBG na faixa de micro-ondas / Theoretical and experimental study of PBG guides in microwave frequencies
Este trabalho apresenta o estudo, o projeto e a caracterização de estruturas de cristal fotônico bidimensionais na faixa de micro-ondas para arranjos cilíndricos dielétricos em simetria triangular e quadrada, com e sem curvas, na faixa de 2 a 4 GHz. A escolha dos arranjos foi feita baseando-se no cálculo do diagrama de bandas e dos modos guiados no cri
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/07/2011
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5. Estudo das propriedades dielÃtricas e magnÃticas da matriz compÃsita: SrBi2Nb2O9(SBN)X-BaFe12O9(BFO)1-X. / Study of the dielectric and magnetic properties of the composite matrix: SrBi2Nb2O9(SBN)X-BaFe12O9(BFO)1-X.
Nesse trabalho, estudamos as propriedades da matriz compÃsita baseada na hexaferrita de bÃrio do tipo M BFO (BaFe12O19) e da cerÃmica ferroelÃtrica SBN (SrBi2Nb2O9). As hexaferritas de bÃrio do tipo M despontaram como uma nova opÃÃo para a produÃÃo de baixo custo de ferrofluidos, meios de gravaÃÃo magnÃtica e sensores. Algumas de suas caracterÃs
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 201101
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6. Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta potência. Além disso, é o único semicondutor composto que, reagindo com o oxigênio, forma um óxido isolante estável, o Si
Publicado em: 2010
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7. SÃntese e estudo das propriedades dielÃtricas dos compÃsitos cerÃmicos [(Cr3/8Fe5/8)2O3 â CRFO][X] â [CaTiO3 - CTO][1-x] e [BiFeO3 - BFO][x] - [CaTiO3-CTO][1-x] / Synthesis and study of dielectric properties of ceramic composites [(Cr3/8Fe5/8)2O3 â CRFO][X] â [CaTiO3 - CTO][1-x] e [BiFeO3 - BFO][x] - [CaTiO3-CTO][1-x]
Neste trabalho, foi realizada a sÃntese das fases CaTiO3 (CTO), (Cr3/8Fe5/8)2O3 (CRFO) e BiFeO3 (BFO) e duas sÃries de compÃsitos cerÃmicos entre o CTO e as outras duas fases, variando-se a concentraÃÃo das fases. O processo de sÃntese foi via moagem mecÃnica e reaÃÃo de estado sÃlido. ApÃs a calcinaÃÃo, as amostras foram prensadas na forma de
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/02/2009
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8. Miniaturization techniques for dielectric filters at microwave frequencies / Tecnicas de miniaturização de filtros dieletricos em microondas
O trabalho mostra o desenvolvimento de um filtro na faixa de frequência de micro-ondas e sua construção usando ressoadores dielétricos de alta permissividade elétrica. A partir da definição matemática de uma função de transferência do tipo entrada-saída, que caracteriza um filtro, e do uso da teoria de síntese de redes, vista de um modo bastante
Publicado em: 2009
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9. Análise de materiais nanoestruturados utilizando feixes de íons
A miniaturização de dispositivos tecnológicos levou à percepção de novas classes de efeitos devidos ao con namento quântico e à mudança na proporção entre número de átomos presentes na superfície e no volume de estruturas que atingem a escala nanométrica, levando à noção de nanociência e nanotecnologia. Dentre os desa os impostos por essas
Publicado em: 2009
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10. Análise e otimização de superfícies seletivas de Frequência utilizando redes neurais artificiais e algoritmos de otimização natural
As estruturas planares periódicas bidimensionais, conhecidas como Superfícies Seletivas de Frequência, têm sido bastante estudadas por causa da propriedade de filtragem de frequência que apresentam. Similares aos filtros que operam na faixa tradicional de radiofrequência, tais estruturas podem apresentar características espectrais de filtros rejeitafa
Publicado em: 2009
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11. Caracterização por microscopia eletrônica de transmissão e microanálise com raios-x de filmes dielétricos crescidos termicamente sobre carbeto de silício
A busca de materiais alternativos ao silício representa uma prioridade na pesquisa para a Micro e a Nanoeletrônicas. Dentre os semicondutores possíveis, o carbeto de silício (SiC) encontra-se em destaque porque, além de apresentar propriedades adequadas, é o único sobre o qual é possível crescer termicamente um filme dielétrico de dióxido de silí
Publicado em: 2009
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12. Passivação da superfície do Germânio visando ao uso da nanoeletrônica
Investigamos a passivação superficial do Germânio visando ao uso em Nanoeletrônica, que requer: (i) preparação de uma superfície plana e isenta de contaminantes e (ii) crescimento ou deposição de um dielétrico termodinamicamente estável em contato com o substrato nos ambientes e temperaturas usuais na fabricação de dispositivos. Na primeira etap
Publicado em: 2009