Dispositivos Dieletricos
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13. TRATAMENTO ELETRO TÉRMICO DE SUBSTRATOS DIELÉTRICOS PARA CIRCUITOS PLANARES DE MICROONDAS / ELECTRO-THERMAL TREATMENT OF DIELECTRIC SUBSTRATES FOR PLANAR MICROWAVE CIRCUITS
Diversos fatores têm atraído esforços para o desenvolvimento de novas estruturas para circuitos planares de microondas. Várias propostas são encontradas na literatura técnica, explorando diferentes formas de miniaturização dos circuitos, melhoria de eficiência de acoplamento, aumento de banda ou redução de perdas. Entre elas, encontra-se a utiliza
Publicado em: 2008
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14. Filtros interferenciais construídos com dielétricos depositados pela técnica de PECVD. / Dielectric interferential filters deposited by PECVD.
Neste trabalho é apresentada a simulação, fabricação e caracterização de filtros interferenciais empregando películas dielétricas amorfas depositadas pela técnica de deposição a vapor assistida por plasma (PECVD) sobre substratos de silício e de Corning Glass (7059). Os dispositivos ópticos foram construídos usando-se processos padrões de mic
Publicado em: 2008
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15. Transporte atômico e estabilidade em dielétricos alternativos para a tecnologia do Si
Esta tese trata do estudo experimental de fenômenos de transporte atômico e reação química em filmes ultra-finos dielétricos sobre Si. Esses dielétricos são materiais alternativos ao óxido de silício utilizado em dispositivos basedos na estrutura metal-óxido-semicondutor. Foram investigados os seguintes materiais: silicato e aluminato de háfnio,
Publicado em: 2007
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16. Filmes finos dielétricos para dispositivos microeletrônicos avançados
Apresentamos mecanismos de formação e de degradação térmica de filmes fi- nos (espessura da ordem de 10 nm) de diferentes dielétricos sobre substrato de silício monocristalino. Tendo em vista a aplicação dessas estruturas em MOSFETs (transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), estudamos o consagrado óxido de silício (SiO2), os atua
Publicado em: 2007
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17. Transporte atômico e incorporação de oxigênio em filmes de HfSiO e HfSiON depositados sobre Si
Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são candidatos a substituir o óxido de silício como dielétrico de porta em dispositivos do tipo transistor de efeito de campo metal-óxid
Publicado em: 2007
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18. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD. / Morphological and structural studies of silicon oxynitride films (SiOxNy) obtained by PECVD technique.
Neste trabalho são apresentados resultados da caracterização estrutural e morfológica de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) depositados pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) a baixa temperatura (320°C). O objetivo deste trabalho é relacionar a composição química de ligas amorfas de SiOxNy com suas propried
Publicado em: 2007
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19. Filmes finos dielétricos para a tecnologia do silício : processamento térmico e caracterização
O rápido avanço tecnológico coloca a tecnologia do Si diante de um grande desafio: substituir o dielétrico de porta utilizado por mais de 40 anos em dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), o óxido de silício (SiO2), por um material alternativo com maior constante dielétrica. Nesse contexto, vários materiais têm
Publicado em: 2007
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20. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS. / Study of dielectric layers for MOS capacitors.
Silicon oxynitride films obtained by the PECVD technique from N2O+SiH4+He gaseous mixtures, at 320°C, with different deposition pressure and RF power were studied intending to improve the interface quality with Si, decreasing the effective charge density and the interface state density in order to utilize them in MOS semiconductor devices. The results showe
Publicado em: 2007
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21. Processos termicos rapidos RTO / RTA para fabricação de dispositivos MOS / Rapid thermal process RTO / RTA for MOS devices fabrication
Filmes ultra-finos e finos de óxido de silício (SiO2) foram obtidos por oxidação (RTO) e recozimento (RTA) térmicos rápidos, usando diferentes temperaturas de 600, 700, 800 e 960oC por 40s, em ambiente de oxigênio e de nitrogênio, respectivamente. A caracterização por elipsometria (para índice de refração fixo de 1.46), por microscopia eletrôni
Publicado em: 2005
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22. Aplicação de dados geologicos, sensores remotos e geofisicos para a prospecção hidrogeologica na area da Cervejaria Teresopolis Ltda., bacia do Rio Capim - Teresopolis (RJ) / Application of geological, remote sensing and geophysical data applied to hydrogeological investigation in the Cervejaria Teresopolis Ltda area, Rio do Capim Basin, Teresopolis (RJ)
O objetivo desta pesquisa foi o de efetuar um estudo integrado de dados geológicos, de sensores remotos e métodos elétricos em uma área piloto - Cervejaria Teresópolis Ltd_ na Bacia do Rio do Capim - Teresópolis (RJ)_ com o intuito de auxiliar a prospecção hidrogeológica nesta região. De posse de dados geológicos, hidrogeológicos, sensores remoto
Publicado em: 2005
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23. Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR
Esta dissertação descreve a obtenção e a caracterização de ultra-finos (5 à 0,5 nm) de oxinitreto de silício (SiOxNy) através da oxidação e/ou nitretação por plasma ECR (Electron Cyclotron Resonance) de alta densidade. O interesse nestes filmes isolantes e nesta tecnologia, que permite reduzir o stress térmico sobre as lâminas, cresce à medid
Publicado em: 2004
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24. Cerâmicas ferroelétricas transparentes de PLZT e PLMN-PT: processamento e propriedades
Cerâmicas ferroelétricas transparentes têm sido largamente empregadas em dispositivos ópticos e eletro-ópticos. Neste trabalho apresentamos recentes progressos alcançados pelo GCFerr/DF-UFSCar na obtenção de cerâmicas ferroelétricas transparentes, obtidas por prensagem uniaxial a quente. São apresentados resultados de caracterizações microestrut
Cerâmica. Publicado em: 2003-04