Dispositivos De Heterojunaao
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1. SÃntese e CaracterizaÃÃo de Filmes Finos de Ãxido de Zinco e Polianilina para AplicaÃÃes em HeterojunÃÃes Semicondutoras
Neste trabalho foi desenvolvido um processo de deposiÃÃo de filmes finos de Ãxido de zinco a partir do pà (ZnO) sobre substratos de vidro e semicondutores atravÃs da tÃcnica de evaporaÃÃo tÃrmica resistiva. Os filmes foram submetidos a tratamentos tÃrmicos em N2, Ar e O2 e posteriormente foram estudadas suas propriedades estruturais, topogrÃficas,
Publicado em: 2009
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2. Heteroestruturas de semicondutores IV-VI sobre Si obtidas por MBE para aplicaÃÃo em detectores de infravermelho.
Este trabalho investiga pela primeira vez o crescimento epitaxial por MBE - Molecular Beam Epitaxy - e anÃlise in-situ com RHEED - Reflection High Energy Electron Diffraction - de compostos IV-VI diretamente sobre silÃcio. Exceto por alguns poucos e incompletos trabalhos anteriores, esta estrutura à praticamente desconhecida. Estas heteroestruturas necess
Publicado em: 2000