Diodos Semicondutores
Mostrando 1-12 de 36 artigos, teses e dissertações.
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1. Atratividade de diodos emissores de luz (LEDs) de diferentes comprimentos de onda aos adultos da bicheira-da-raiz
RESUMO: Uma das pragas-chave do arroz irrigado é a bicheira-da-raiz, denominação comum atribuída às larvas do gorgulho aquático Oryzophagus oryzae (Costa Lima) (Coleoptera: Curculionidae). A utilização de armadilhas luminosas poderia ser uma alternativa viável no manejo integrado, pois esse gorgulho apresenta elevado fototropismo positivo. Assim, ob
Arq. Inst. Biol.. Publicado em: 02/08/2018
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2. Processamento, propriedades e aplicações das cerâmicas de nitreto de alumínio
Resumo O nitreto de alumínio (AlN) é considerado um adequado material para substratos e materiais de encapsulamento de dispositivos microeletrônicos devido à elevada condutividade térmica, às excelentes propriedades elétricas e ao coeficiente de expansão térmica próximo daquele observado para o silício. Estas propriedades tornam o AlN um excelente
Cerâmica. Publicado em: 2017-12
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3. Análise da eficiência energética, ambiental e econômica entre lâmpadas de LED e convencionais
RESUMO Os Diodos Emissores de Luz, mais conhecidos como LED's, são componentes eletrônicos semicondutores que conseguem transformar a energia elétrica em luz, diferente das lâmpadas convencionais. O LED é um componente bipolar, que quando passa corrente elétrica, a luz é gerada. As lâmpadas modernas utilizam LED em sua formação, as quais liberam me
Eng. Sanit. Ambient.. Publicado em: 2015-12
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4. O uso de vídeos curtos para ensinar tópicos de semicondutores
A cada dia se torna mais frequente o uso de aparelhos eletrônicos que, em sua grande maioria, estão baseados em diodos e transistores semicondutores. Compreender alguns conceitos ligados a esses materiais pode ser muito importante para entender e se relacionar melhor com tais aparelhos. Apesar de essa ser uma constatação que aparece também em documentos
Rev. Bras. Ensino Fís.. Publicado em: 2015-09
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5. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
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6. Estudo experimental da emissão dos modos TE e TM de um laser semicondutor sob realimentação ortogonal
Neste trabalho apresentamos um estudo sistemático da emissão de lasers semicondutores submetidos a uma realimentação ótica ortogonal. Após uma série de estudos anteriores da dinâmica em freqüência de diodos lasers com re-injeção ótica ortogonal, estamos analisando mais detalhadamente o comportamento das duas componentes de polarização da radia
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/09/2011
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7. AnÃis quÃnticos semicondutores ideais / Ideal semiconductor quantum rings
Nos Ãltimos anos, numerosos avanÃos alcanÃados nas tÃcnicas de crescimento de materiais deram origem à formaÃÃo de vÃrias heteroestruturas de semicondutores, onde se podem confinar elÃtrons e buracos em uma ou mais direÃÃes, atravÃs de barreiras de potencial. Muitos pesquisadores recentemente tÃm estudado estruturas de baixas dimensionalidades,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/08/2011
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8. Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS / Process development of gate electrodes (TiN and TaN) for MOS devices
Tantalum nitride (TaN) and titanium nitride (TiN) films have been obtained by DC sputtering, using different nitrogen flow (10 - 80 sccm) and power (500 - 1500 W), in a nitrogen (N2)/argon (Ar) ambient on Si (100) substrates. The N2/Ar ratio in gas mixture and power effects on structural and electrical properties of TaN and TiN films were investigated by sca
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/07/2011
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9. Magneto luminescência em diodos de tunelamento ressonante contendo pontos quânticos de InAs
In this work, we have studied the spin polarization of carriers in n-type resonant tunneling diodes (RTDs) of GaAs/AlGaAs which incorporates a single layer of InAs selfassembled quantum dots in the center of the GaAs quantum well (QW) grown on (3 1 1)B oriented GaAs substrates.We have performed electrical and optical measurements in the presence and absence
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/03/2011
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10. Manipulação de spin em diodos de tunelamento ressonante não-magnéticos tipo-n
Este trabalho teve como objetivo o estudo dos efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante (RTD) assimétricos do tipo n não magnéticos. Utilizamos técnicas de medidas de transporte e magneto-fotoluminescencia resolvida em polarização. O grau de polarização ótica das regiões do QW e das camadas do contato foi estudado em função da voltagem
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/04/2010
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11. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy
Publicado em: 2010
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12. Photoluminescence, photoabsorption and photoemission studies of hydrazone thin film used as hole transporting material in OLEDS
A fotoluminescência de filmes finos de 1-(3-metilfenil)-1,2,3,4-tetrahidroquinolina-6-carboxialdeído-1,1’-difenilhidrazona foi monitorada em função da irradiação com luz UV. A intensidade da emissão decresce exponencialmente com o tempo de exposição, sugerindo degradação das amostras. Com o objetivo de investigar os mecanismos de degradação e
Publicado em: 2010