Dielectrics
Mostrando 1-12 de 34 artigos, teses e dissertações.
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1. Electrified Water: Liquid, Vapor and Aerosol
Many reports associate electrostatic charge in dielectrics with water, either bulk, finely dispersed in aerosol or as atmospheric vapor. Two widespread but currently controversial assumptions relevant to this topic are the prevalence of electroneutrality and the passive role of water in electrical phenomena, dissipating charge due to its significant electric
J. Braz. Chem. Soc.. Publicado em: 2016-02
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2. Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS / Process development of gate electrodes (TiN and TaN) for MOS devices
Tantalum nitride (TaN) and titanium nitride (TiN) films have been obtained by DC sputtering, using different nitrogen flow (10 - 80 sccm) and power (500 - 1500 W), in a nitrogen (N2)/argon (Ar) ambient on Si (100) substrates. The N2/Ar ratio in gas mixture and power effects on structural and electrical properties of TaN and TiN films were investigated by sca
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/07/2011
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3. Eletrização de dielétricos: novas propostas para resolver velhos problemas
Electrostatic phenomena were discovered long ago but their interpretation according to well-established atomic-molecular theory is still lacking. As a result, electrostatic phenomena are often irreproducible and uncontrolled, causing serious practical problems. Highly reproducible recent experimental results on electrostatic charging from this and other labo
Química Nova. Publicado em: 2010
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4. Alignment of carbon nanotubes in epoxy matrix by electric field / Influência nas propriedades elétricas devido ao alinhamento de nanotubos de carbono em matriz epóxi utilizando campo elétrico
Nanotubos de paredes múltiplas (NCPM) dispersos em matriz epóxi (DGEBA) foram alinhados com o auxilio de um campo elétrico senoidal, de amplitude de 300 V/cm e freqüência de 1 kHz, durante a cura dos nanocompósitos. Foram fabricados nanocompósitos submetidos ao campo elétrico (nanotubos alinhados) e amostras curadas sem a presença do campo (com nano
Publicado em: 2010
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5. Indução e dissipação de cargas em dieletricos : evidencias do papel da atmosfera como reservatorio de cargas / Charge induction and dissipation in dielectrics : the atmosphere as a charge reservoir
Neste trabalho estudou-se o comportamento de potenciais induzidos em celulose pela aproximação de um corpo eletrificado e também a dissipação de cargas (positivas e negativas) em polietileno de baixa densidade (PEBD) geradas por descarga corona. As medidas de determinação do potencial eletrostático foram feitas utilizando eletrodos de Kelvin acoplado
Publicado em: 2009
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6. Propriedades física de molécilas orgânicas e compostos do tipo perovskita CdSiO3 e CaPbO3
In the first part of this work our concern was to investigate the thermal effects in organic crystals using the theory of the polarons. To analyse such effect, we used the Fröhlichs Hamiltonian, that describes the dynamics of the polarons, using a treatment based on the quantum mechanics, to elucidate the electron-phonon interaction. Many are the forms to a
Publicado em: 2009
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7. Propriedades dielétricas e térmicas das blendas de poliestireno com ácido oléico e polietireno com betacaroteno / Properties dielétricas and thermal of the blends of polystyrene with oleic acid and polietireno with Beta-Carotene
The thermal, dielectrics and optics properties of vegetable oils have been studied by Amazonian Materials Physic Group since 1996 in the Department of Physic of UFPA. Recently collaboration with Physical-chemistry of polymer Laboratory in the Chemistry Institute of UnB allowed studying these oils and its components as polymeric blends. In this work, we searc
Publicado em: 2008
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8. CaracterizaÃÃo, manutenÃÃo e monitoramento on-line de buchas condensivas para transformadores de potÃncia
According to researches done all over the world about power transformers, the condensives bushings contribute in an expressive way for the percentile distribution of the failure ways related to the power transformers and it is certain to state that occurrences of failures involving bushings have caused damage to the transformers in which these bushings are i
Publicado em: 2008
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9. Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS / High K gate insulators for MOS technology
High k insulators for the next generation (sub-32 nm CMOS (complementary metaloxide-semiconductor) technology), such as titanium oxide (TiOx), titanium oxynitride (TiOxNy), titanium-aluminum oxynitride (AlxTiwOyNz), titanium-aluminum nitride (AlxTiwNz) and titanium-aluminum oxide (AlxTiwOy), have been obtained by Ti or Ti/Al e-beam evaporation, with addition
Publicado em: 2008
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10. A new mechanism for the electrostatic charge build-up and dissipation in dielectrics
O excesso de cargas induzidas em papel, sob um potencial eletrostático foi determinado utilizando-se o método de Kelvin. Os resultados mostraram que o papel, sob um potencial elétrico positivo, acumula excesso de cargas negativas que são dissipadas quando o potencial elétrico é reduzido à zero. As velocidades de eletrização e re-neutralização do p
Journal of the Brazilian Chemical Society. Publicado em: 2008
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11. PROPRIEDADES TÉRMICAS, DIELÉTRICAS E VIBRACIONAIS DE ORMOSIL S BASEADOS EM PDMS E TEOS DOPADOS COM MDS / THERMAL, DIELECTRIC PROPERTIES AND VIBRACIONAIS OF ORMOSIL S BASED IN DOPED PDMS AND TEOS WITH MDS
In this work have been investigated the dielectric and vibrational properties of the ORMOSIL membranes based on PDMS and TEOS doped with MDS using the Dierential Scanning Calorimetry (DSC), impedance, Raman and infrareds spectroscopy technics. Such membranes are hybrid organic-inorganic materials with potential application in PEMFC (Proton Exchange Membrane
Publicado em: 2008
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12. Caracterização elétrica de oxinitretos de silício ultrafinos para porta PMOS obtidos por implantação de nitrogênio na estrutura Si-poli/SiO2/Si. / Electrical characterization of ultrathin silicon oxynitrides for pmos gate obtained by nitrogen implantation in the Si-poli/Si02/Si structure.
Neste trabalho foram fabricados e caracterizados eletricamente capacitores MOS com óxido de silício ultrafino (2,6 nm) com porta de silício policristalino (Si-poli) P+ e N+. Os capacitores MOS com porta de Si-poli dopados com boro tiveram a estrutura Si-poli/SiO2/Si previamente implantada com nitrogênio nas doses de 1.10POT.13, 1.10POT.14, 1.10POT.15e 5.
Publicado em: 2008