Deposicao Por Sputtering
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13. Produção de Superfícies Seletivas de Ni/NiO para Aplicações em Coletores Solares / Produção de Superfícies Seletivas de Ni/NiO para Aplicações em Coletores Solares
Novas tecnologias e novos materiais vêm sendo desenvolvidos a fim de tornar a tecnologia solar economicamente mais atrativa. Materiais como o níquel (Ni) e o óxido de níquel (NiO) depositados sobre alumínio têm-se destacado em várias aplicações fototérmicas atuando como superfícies seletivas para a faixa do espectro solar. As superfícies seletiva
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/08/2011
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14. Adição de nanopartículas de Ti em matriz de Fe através da deposição por magnetron sputtering
Os aços microligados constituem uma classe específica de aço com baixos teores de carbono e elementos microligantes, como: vanádio (V), nióbio (Nb) e titânio (Ti). O desenvolvimento e aplicação dos aços microligados, e de aços em geral, estão limitados à manipulação dos pós com partículas de dimensões submicrométricas ou mesmo nanométricas
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/07/2011
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15. Síntese e caracterização de revestimentos protetores de ZrN/TiN sobre o biomaterial Nitinol obtidos por tratamento duplex.
O presente trabalho apresenta um estudo do tratamento duplex para o biomaterial Nitinol (NiTi). Este tratamento consiste em nitretação a plasma para a formação do nitreto de titânio (TiN), seguido de deposição de um filme fino de nitreto de zircônio (ZrN) sobre a superfície nitretada. O estudo das fases cristalinas presentes no sistema foi realizado
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/07/2011
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16. Desenvolvimento de filme fino de a-Si:H por pulverização catódica para aplicações fotovoltaicas / Desenvolvimento de filme fino de a-Si:H por pulverização catódica para aplicações fotovoltaicas
Filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) foram desenvolvidos para aplicações fotovoltaicas. Esses filmes são atualmente muito utilizados em células solares HSJ como camada absorvedora devido às suas boas propriedades ópticas e elétricas, associado a um band gap razoavelmente baixo e um reduzido custo de produção. Os filmes foram sintetiz
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2011
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17. CRESCIMENTO DE FILMES FINOS DE Ni81Fe19 PARA APLICAÇÕES ENVOLVENDO MAGNETORRESISTÊNCIA ANISOTRÓPICA / GROWTH OF THIN FILMS OF Ni81Fe19 TO APLICATIONS ENVOLVING ANISOTROPIC MAGNETORESISTANCE
Magnetorresistência anisotrópica (AMR) consiste na variação da resistividade de um metal ferromagnético como uma função do ângulo entre a corrente e a magnetização, o que faz com que sensores que utilizam este efeito sejam promissores para medidas de posição tanto angulares quanto lineares. Estes dispositivos normalmente possuem a estrutura Ta/Ni
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/05/2011
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18. Emissão óptica de plasma e desenvolvimento de a-Si:H por sputtering / Emissão óptica de plasma e desenvolvimento de a-Si:H por sputtering
A utilização do silício amorfo (a-Si) como camada emissora nas células fotovoltaicas baseadas em heteroestruturas tem se mostrado com várias vantagens em nível de custo de produção e desempenho se comparadas ao silício cristalino (c-Si). Em filmes de a-Si puro, existe uma grande concentração defeitos, aproximadamente 10 por cm e o hidrogênio exer
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/2011
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19. Espectroscopia de Impedância aplicada em Heterojunções para Células Solares Fotovoltaicas / Espectroscopia de Impedância aplicada em Heterojunções para Células Solares Fotovoltaicas
As propriedades elétricas das heterojunções de Alumínio/Silício-p monocristalino foram estudadas pela técnica de espectroscopia de impedância e análise de capacitância em função do potencial. Estas técnicas não são destrutivas, nem invasivas e conta com elevada precisão. Quando associadas a outras técnicas podem fornecer informações compree
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/2011
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20. Deposição de A/N por sputtering não reativo
Neste trabalho depositamos via magnetron sputtering de rádio-frequência não reativo nanofilmes de nitreto de alumínio (AlN). Os nanofilmes de nitreto de alumínio são materiais semicondutores com alta condutividade térmica, elevado ponto de fusão, piezoeletricidade e largo "bandgap"(6;2 eV) com estrutura cristalina wurtzítica hexagonal, pertencentes
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/01/2011
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21. Propriedades físico-químicas de filmes finos de Al2O3 depositados por sputtering sobre Ge
Nesta dissertação, foram investigadas as propriedades físico-químicas de filmes finos de óxido de alumínio (Al2O3). O Al2O3 foi depositado sobre substratos germânio (Ge) e silício (Si) por magnetron sputtering reativo, utilizando uma fonte DC pulsada, visando a produzir camadas com baixas quantidades de OH e H2O, em comparação àquelas produzidas p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2011
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22. Avaliação das propriedades físico-químicas, mecânicas e tribológicas de filmes finos de VC, Si3N4 e TiN/Ti
Neste trabalho foram estudadas correlações entre estrutura e propriedades de certos revestimentos baseados em filmes finos cerâmicos, mais especificamente carbeto de vanádio, nitreto de silício e nitreto de titânio sobre titânio. As condições e parâmetros de deposição dos filmes, tais como composição e fluxo dos gases reativos, temperatura do s
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2011
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23. Filmes nanométricos de FeN e ALN crescidos por sputtering e aplicações do efeito peltier
Neste trabalho será mostrado a habilidade da técnica de sputtering (dc/rf) reativo/não-reativo a baixa potência para o crescimento de filmes nanométricos de materiais magnéticos (FeN) e semicondutores de gap largo (AlN) assim como a aplicação tecnológica do efeito peltier por módulos comerciais de Telureto de Bismuto (Bi2Te3). De grande interesse t
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/12/2010
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24. Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo. / Deposition of hydrogenated amorphous silicon thin films by reactive sputtering.
Neste trabalho filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) foram depositados no reator magnetron sputtering do laboratório de sistemas integráveis (LSI), a temperaturas menores que 100 °C, pela introdução do gás hidrogênio junto com o de argônio para pulverização de um alvo de silício policristalino. As condições de deposição investig
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/10/2010