Clusters De Gaas
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1. Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela tecnica de epitaxia por feixe quimico (CBE)
We present here a study on the epitaxial growth of lnXGal-XP layers on GaAs aiming at the composition InO.49GaO.51P which is lattice matched to GaAs. In this work we evaluated the growth rate and composition of InXGal-xP as a function of TMIn+H2 f1ow, as well as the variation of band-gap energy with layer composition. This set of results pointed out an anoma
Publicado em: 1997
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2. Propriedades eletrônicas e estruturais de mecro-aglomerados de GaAs. / Electronic and structural properties of GaAs micro-clusters.
Temos utilizado o método de Hartree-Fock-Roothaan, seguido da teoria de perturbação de segunda ordem, para a determinação das propriedades estruturais e eletrônicas dos aglornerados GaAs, G2As, GaAs2, Ga3As, Ga2As2, GaAs3, G4As, Ga3As2, Ga2As4, GaAs4, Ga3As3, G4Asa, Ga3As4, Ga4As4 e seus íons positivos e negativos. A estrutura de equilíbrio de cada u
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/03/1996
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3. Estudo de "Clusters" de GaAs pelo metodo de espalhamento multiplo (SCF-Sw-Xa)
No presente trabalho estudamos diversos "clusters" de GaAs com os átomos-constituintes dispostos segundo a configuração do cristal, utilizando o método de espalhamento múltiplo auto-consistente com parâmetro a para o termo de troca variável (SCF - SW - Xa). Os diversos "clusters" diferenciam-se pelo número de átmos escolhidos, pela natureza do átom
Publicado em: 1976