Estudo de "Clusters" de GaAs pelo metodo de espalhamento multiplo (SCF-Sw-Xa)

AUTOR(ES)

Caio Mario Castro de Castilho

DATA DE PUBLICAÇÃO

1976

RESUMO

No presente trabalho estudamos diversos "clusters" de GaAs com os átomos-constituintes dispostos segundo a configuração do cristal, utilizando o método de espalhamento múltiplo auto-consistente com parâmetro a para o termo de troca variável (SCF - SW - Xa). Os diversos "clusters" diferenciam-se pelo número de átmos escolhidos, pela natureza do átomo no centro do sistema e pelo potencial em cada uma das regiões. Com as modificações procedidas de um "cluster" para outro, e com a auto-consistência, analisamos a evolução dos níveis de energia obtidos bem como a carga em cada uma das regiões do sistema. Considerando a natureza covalente das ligações neste semicondutor e devido ao fato de se tomar como vazio o exterior da esfera que circunscreve o "cluster", é proposto um novo critério para a localização do "gap", distinto de considerar a transição entre o último nível "cheio" e o primeiro nível "vazio". Dentro desta ótica obtem-se um valor para o "gap" da mesma ordem de grandeza do valor experimental, cujo valor evolui no sentido aproximar-se deste, quando são efetuadas as modificações com o intuito de reproduzir melhor as condições do cristal real

ASSUNTO(S)

analise por conglomerados

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