Bragg Surface Diffraction
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1. AÇO DUPLEX LDX 2101 SUBMETIDO À NITRETAÇÃO POR IMPLANTAÇÃO IÔNICA, IMPLANTAÇÃO IÔNICA POR IMERSÃO EM PLASMA E DESCARGA LUMINOSA: PROPRIEDADES MECÂNICAS E TRIBOLÓGICAS
In the present work showing the results on mechanical and tribological properties of duplex stainless steel LDX2101 nitriding by Ion Implantation (II), Plasma Immersion Ion Implantation (PI3) and Glow Discharge (GD). Nitrogen ion implantation was performed at room temperature and 350 C. The nitrogen fluencies were combined to obtain an atomic nitrogen concen
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/04/2011
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2. Difração Bragg-Superfície no estudo de sistemas epitaxiais baseados em pontos quânticos de InAs/GaAs / Bragg-surface diffraction on the study of epitaxial systems based on InAs/GaAs quantum dots
Nanodispositivos são objetos fabricados pelo homem com estruturas internas as quais têm ao menos uma dimensão física em escala nanométrica. A baixa dimensionalidade implica em níveis de energia quantizados, conferindo notáveis diferenças às propriedades ptoelétricas desses dispositivos, o que os torna bastante atrativos para a indústria de micro e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/03/2011
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3. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes / Structural study of semiconductors nanosystems and implanted semiconductors by means of n-beams X-ray diffraction
In this paper, X-ray multiple diffraction (MD) associated with the advantages of synchrotron radiation appears as a high-resolution microprobe and it is used to obtain relevant contributions to the study of structural properties of semiconductor materials, as they present themselves nanosystems epitaxial or implanted with ions. The study and detection of neg
Publicado em: 2010
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4. Estruturas multicamadas de silício poroso para aplicação em dispositivos de cristais fotônicos. / Porous silicon multilayers structures for application in photonic crystals device.
The aim of the present work was to study and analyze the optical response of one- dimensional (1D) photonic crystal devices obtained by using the porous silicon technology. The experimental results obtained from this work showed the significant contribution to the development of a technological process for optical device fabrication in the silicon substrate.
Publicado em: 2007
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5. Electrochemical reversibility of reticulated vitreous carbon electrodes heat treated at different carbonization temperatures
Electrochemical response of ferri/ferrocyanide redox couple is discussed for a system that uses reticulated vitreous carbon (RVC) three dimensional electrodes prepared at five different Heat Treatment Temperatures (HTT) in the range of 700 °C to 1100 °C. Electrical resistivity, scanning electron microscopy and X ray Diffraction analyses were performed for
Materials Research. Publicado em: 2006-06
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6. Difração Bragg-Superficie (BSD) : uma sonda de alta resolução para o estudo da implantação de ions em supercondutores / Bragg-Surface diffraction (BSD) : high resolution microprobe to study ion implanted semiconductors
Neste trabalho, a difração Bragg-Superfície (BSD), um caso especial da difração múltipla de raios-X, foi usada como uma microssonda de superfície com resolução para a detecção de defeitos originados próximos da interface cristal-amorfo (c-a) em junções rasas de B em Si, e uma nova técnica de caracterização de semicondutores (GaAs) submetidos
Publicado em: 2006
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7. Efeitos nÃo lineares em lÃquidos orgÃnicos e meios nanoestruturados
In this thesis, we report studies of nonlinear transverse effects in organic liquids, carbon disulfide (CS2) and dimetil sulfoxide (DMSO), and of fluorescent emission effects in nanostructured media, more specifically, frequency upconversion in erbium doped barium titanate nanocrystals (BaTiO3:Er3+) and laserlike emission from inverted opal nanostructure of
Publicado em: 2004
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8. Estudo de piezeletricidade e transições de fase nos cristais de KDP e sal de Rochelle com difração multipla de raios-X
Neste trabalho, a difração múltipla de raios-X (DM) é usada para investigar distorções na rede cristalina induzidas por um campo elétrico externo (E) permitindo a determinação de todos os coeficientes piezelétricos do sal de Rochelle e também mostrando que a técnica é factível na detecção da transição de fase do di-hidrogenofosfato de potá
Publicado em: 2002
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9. Synchrotron radiation X-ray multiple diffraction in the study of KDP phase transition induced by electric field
In this work, the application of the X-ray multiple diffraction technique using synchrotron radiation at Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS) to study KDP phase transition induced by electric field is discussed. A Huber three-axis (omega, phi, 2theta) diffractometer mounted on a table which rotates around the incident beam allows to measure Rennin
Materials Research. Publicado em: 2001-01
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10. Bragg-Surface diffraction (BSD) : high resolution microprobe to study ion implanted semiconductors / Forças de oscilador ponderadas e tempos de vida para os espectros de Si II, Si VIII e SI IX
The principal objective of this work is to present the weighed oscillator strengths (gf) and the lifetimes for all the eletric dipole transitions experimentally known for the íons of Si II, Si VIII VIII and Si IX. The interpretation of the calculation of these two values is for instance of fundamental importance in the astrophysics, because the silicon in y
Publicado em: 2000
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11. Difração multipla de raios-X no estudo de ordenamento em ligas semicondutoras e defeitos em semicondutores implantados
The aim of this work is to develop the X-ray multiple diffraction, as a new technique to characterize semiconductors wafers submitted to ion implantation and, epitaxial layers that presents atomic ordering. The technique was also of great usefulness in the study of the heterostucture lattice coherence. The sensitivity of the Bragg-surface diffraction (BSD) c
Publicado em: 1999
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12. Diagrama Renninger com radiação de freamento de eletrons e sincrotron no estudo de estruturas heteroepitaxiais
In this work, Renninger scans obtained with Bremsstrahlung and synchrotron radiation were used to study semiconductor heteroepitaxial structures. The program MULTX was implemented to provide Renninger scan simulations and it is based on the iterative method to calculate X-ray multiple diffraction intensities. The polarization factor for the synchrotron radia
Publicado em: 1994