Uma nova proposta para confecção da extensão da terminação da junção (JTE) em dispositivos planares de alta tensão

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1991

RESUMO

Sabe-se que a curvatura da junção reduz a tensão de ruptura de junções p-n. Neste trabalho, desenvolveu-se uma técnica simples que usa pré-deposição convencional de boro com fontes dopantes sólidas, para fazer uma Extensão da Terminação da Junção (Junction Termination Extension - JTE) em substituição aos processos de implantação de íon de alto custo. Para a obtenção de níveis de dopagem extremamente baixos para a fabricação do JTE, uma camada de óxido bem fina é previamente crescida sobre o "wafer", por uma oxidação à baixa temperatura, atuando como uma barreira para a carga de boro, controlando a carga liquida que alcança a superfície do silício

ASSUNTO(S)

transistores de junção eletronica

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