Semicondutores Propriedades Oticas
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1. Função dielétrica de um gás de elétrons: comparação entre os modelos de Drude e de Lindhard
As propriedades físicas de metais e semicondutores dopados são em grande parte determinadas pelos seus elétrons de condução. A função dielétrica é uma quantidade física fundamental no estudo das propriedades óticas e de transporte desses materiais. Neste artigo discutimos de forma introdutória como os elétrons de condução em um sólido respond
Rev. Bras. Ensino Fís.. Publicado em: 01/12/2016
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2. Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs / Interface effect on the optical properties of InP/GaAs quantum dots
We studied the effect of different interface conditions on the optical properties of InP/GaAs self-assembled quantum dots grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. InP/GaAs quantum dots is expected to present type II band alignment, and only electrons are confined, whereas the holes are localized in the GaAs layers around the quantum do
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/08/2012
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3. Nanowhiskers politípicos - uma abordagem teórica baseada em teoria de grupos e no método k.p / Polytypical nanowhiskers - a theoretical approach based on group theory and k.p method
Nanowhiskers semicondutores de compostos III-V apresentam grande potencial para aplicações tecnológicas. Controlando as condições de crescimento, tais como temperatura e diâmetro, é possível alternar entre as fases cristalinas zincblend e wurtzita, dando origem ao politipismo. Esse efeito tem grande influência nas propriedades eletrônicas e óticas
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 09/02/2012
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4. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
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5. Magneto luminescência em diodos de tunelamento ressonante contendo pontos quânticos de InAs
In this work, we have studied the spin polarization of carriers in n-type resonant tunneling diodes (RTDs) of GaAs/AlGaAs which incorporates a single layer of InAs selfassembled quantum dots in the center of the GaAs quantum well (QW) grown on (3 1 1)B oriented GaAs substrates.We have performed electrical and optical measurements in the presence and absence
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/03/2011
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6. SÍNTESE, CARACTERIZAÇÃO E APLICAÇÃO EM FOTOCATÁLISE DE NANOCRISTAIS SEMICONDUTORES DE SULFETO DE CÁDMIO SUPORTADOS EM ARGILA TIOLADA. / SYNTHESIS, CHARACTERIZATION AND APPLICATION IN PHOTOCATALYS OF SEMICONDUCTOR CADMIUM SULFIDE NANOCRYSTALS SUPPORTED ONTO THIOLATED CLAY.
O desafio da nanotecnologia, ciência que estuda os fenômenos e manipulação de materiais em escala nanométrica (1-100 nm), é o controle de composição, forma e tamanho de nanomateriais, parâmetros que influenciam as propriedades físicas, químicas, óticas e eletrônicas. Dentro desse contexto, os quantum dots (QDs) são nanopartículas semicondutora
Publicado em: 2011
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7. Análise das propriedades óticas do poli( 3-metiltiofeno) (P3MT) sintetizado eletroquimicamente
Os semicondutores orgânicos possuem características físicas bastante parecidas com as dos semicondutores inorgânicos, podendo ser utilizados na fabricação de LEDs, células fotovoltaicas e lasers. Os polímeros semicondutores apresentam as seguintes vantagens sobre os semicondutores inorgânicos: (a) maior flexibilidade e maleabilidade; (b) a possibili
Publicado em: 2009
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8. Propriedades opticas de nanofios de InP / Optical properties of InP nanowires
Optical properties of InP nanowires grown by Vapor-Liquid-Solid (VLS) method in a Chemical Beam Epitaxy system were investigated by using micro-photoluminescence spectroscopy varying experimental parameters such as excitation power, emitted signal polarization and sample temperature. Due to polytypism (InP in cubic, zincblende (ZB), and hexagonal, wurtzite (
Publicado em: 2009
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9. Determinação das propriedades térmicas e óticas do semicondutor CdTe por espectroscopia fototérmica / Determination of thermal and optical properties of the semiconductor CdTe by photothermal spectroscopy
Este trabalho faz uma sucinta revisão de literatura em que são abordadas as técnicas de espectroscopia fotoacústica (PAS) e fotopiroelétrica (PPES). Para utilização destas técnicas espectroscópicas, são necessárias células de detecção de sinal fotoacústico e fotopiroelétrico, que foram desenvolvidas e testadas. Após o desenvolvimento da inst
Publicado em: 2008
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10. Fabricação e caracterização de filmes semicondutores de InN depositados com o método de deposição assistida por feixe de íons / Growth and caracterization of ImN semiconductor films by ion beam assisted deposition
Neste trabalho, analisamos as propriedades estruturais, morfológicas e óticas de filmes finos de nitreto de índio, depositados em diferentes tipos de substratos (Si , safira-C, safira-A, safira-R, GaN/ safira e vidro) pelo método de deposição as s i s t ida por feixe de elétrons com energia de íons entre 100 e 1180 eV. A temperatura de substrato dura
Publicado em: 2008
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11. Cálculo e determinação experimental da energia de ligação excitônica em poços quânticos simples e duplos de AlGaAs/GaAs
Este trabalho objetiva o cálculo e a determinação experimental da energia de ligação excitônica em poços quânticos simples e duplos. Foram estudadas duas amostras, as quais possuem, no total, um poço quântico simples e três poços quânticos duplos de Al0.25Ga0.75As/GaAs com diferentes espessuras de barreira central. Nos poços duplos, o material
Publicado em: 2008
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12. Transições ópticas em poços quânticos múltiplos com diferentes orientações cristalográficas
Neste trabalho estudamos as transições ópticas em poços quânticos múltiplos de GaAs/AlxGa1-xAs, crescidos por epitaxia por feixe molecular sobre os substratos de GaAs orientados nas direções [100], [311]A e [311]B. Os parâmetros estruturais dos poços quânticos foram determinados por Difratometria de Alta Resolução de Raios-X. O estudo das transi
Publicado em: 2008