SÃntese e caracterizaÃÃo de filmes finos de ITO e de silÃcio poroso

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2008

RESUMO

Desenvolveu-se um processo de produÃÃo de filmes finos de Ãxido de Ãndio dopado com estanho (ITO) com espessuras tÃpicas de 120 nm, depositados em substratos de vidro pela tÃcnica de evaporaÃÃo tÃrmica reativa (ETR). Os efeitos da pressÃo parcial de oxigÃnio durante a deposiÃÃo e do tratamento tÃrmico em oxigÃnio nas propriedades elÃtricas, estruturais e Ãticas dos filmes foram estudados. Mostramos que a tÃcnica de ETR pode ser utilizada para produzir filmes finos de ITO com alta qualidade, baixa resistividade elÃtrica (10−3 .cm) e alta transmitÃncia ( 80% na faixa visÃvel). Os resultados obtidos suportam o potencial da utilizaÃÃo de filmes finos de ITO produzidos por ETR para aplicaÃÃo em dispositivos semicondutores, fotÃnicos, optoeletrÃnicos, sensores e detectores. Desenvolveu-se tambÃm processos de produÃÃo de filmes de silÃcio poroso pelas tÃcnicas de corrosÃo eletroquÃmica (CE) e corrosÃo a vapor (CV). O efeito dos eletrodos de nÃquel e palÃdio nas propriedades do silÃcio poroso foram estudados e comparados com os filmes de silÃcio poroso sintetizados por outra tÃcnica (CE com eletrodo de platina e CV). Mostramos que o efeito catalÃtico do eletrodo utilizado durante a CE, em especial o efeito do eletrodo de palÃdio, pode ser utilizado para produzir silÃcio poroso de alta qualidade estrutural e com alta luminescÃncia quando comparados com os sintetizados por outra tÃcnica. Os resultados obtidos suportam o potencial dos filmes de silÃcio poroso para aplicaÃÃo em dispositivos fotÃnicos e optoeletrÃnicos

ASSUNTO(S)

thermal evaporation thin films porous silicon fisica evaporaÃÃo tÃrmica electrochemical etching filmes finos ito ito corrosÃo eletroquÃmica silÃcio poroso

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