Propriedades opticas e vibracionais de ligas amorfas Si1-x Nx:H preparadas por sputtering R.F

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1987

RESUMO

Uma série de amostras das ligas amorfas silício-nitrogênio-hidrogênio foi preparada na forma de filmes finos pelo processo de "sputtering" RF reativo usando um alvo de silício intrínseco e uma mistura gasosa de N2, H2 e Argônio. A composição das amostras foi variada alterando-se a pressão parcial de nitrogênio, com os outros parâmetros mantidos constantes. Os espectros de transmissão das amostras, medidos nas faixas do ultravioleta visível e infravermelho incluem a borda de absorção e as bandas de absorção vibracionais das amostras e foram usados na determinação dos coeficientes de absorção, índice de refração e espessura dos filmes. O "gap óptico" variou com a pressão parcial de nitrogênio entre 1.90 e 5.30 eV e apresentou uma transição brusca numa estreita faixa de pressões. Por outro lado o decréscimo do índice de refração entre 2.8 e 1.8 foi suave. Isto indica uma existência de uma variação bastante ampla da composição, a qual foi confirmada pelas densidades de ligações estimadas a partir das bandas do infravermelho. Estas bandas indicam também a presença de elevadas concentrações de hidrogênio (entre 22 e 40 % atômico) e a existência de defeitos estruturais do tipo micro-superfícies internas

ASSUNTO(S)

semicondutores amorfos ejeção (fisica)

ACESSO AO ARTIGO

Documentos Relacionados