Caracteristicas dos filmes finos de Si:H-a obtidos por pulverização catodica ("RF sputtering")
AUTOR(ES)
Airton Ramos
DATA DE PUBLICAÇÃO
1991
RESUMO
Neste texto apresentamos nossos resultados da caracterização de filmes finos de silício amorfo hidrogenado (Si : H-a) obtidos pela técnica de "RF sputtering", usando um antigo sistema Varian que reconstruímos para este fim. As amostras foram depositadas sob diversas condições a fim de compreendermos a influência dos parâmetros do processo, tais como as pressões parciais de H IND. 2 e Ar, temperatura do substrato, potência de RF e tensão de polarização do catodo, nas propriedades dos filmes depositados. Assim, estudamos a taxa de deposição, a composição e as propriedades elétricas e ópticas de nosso material, medindo a espessura, a condutividade elétrica e a transmitância no IV e VIS das amostras depositadas ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital
ASSUNTO(S)
ejeção (fisica) filmes finos semicondutores
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000097867Documentos Relacionados
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