Propriedades de transporte lateral de portadores e energia em heteroestruturas dopadas de poços e pontos quânticos

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DATA DE PUBLICAÇÃO

2007

RESUMO

Neste trabalho a dinâmica e o transporte lateral de portadores em poços quânticos assimétricos (asymmetric quantum wells AQWs), dopados tipo-p e tipo-n, e um poço quântico não-dopado de InGaAs/GaAs foram investigados usando a técnica de fotoluminescência resolvidas espectralmente e espacialmente. Pontos quânticos auto- organizados (self assembly quantum dots SAQDs), dopados e não-dopados, de InAs/GaAs também foram investigados. Soluções de um sistema de equações de taxa acopladas foram utilizadas para simular os resultados de fotoluminescência em função da densidade de excitação, e com isso descrever a dinâmica de portadores em todas as heteroestruturas estudadas. O tempo de vida dos portadores obtidos da simulação foi usado para calcular o comprimento de difusão no AQW. Os dados de fotoluminescência obtidos das amostras de SAQDs evidenciaram que o mecanismo de transferência de energia entre pontos quânticos é assistido por emissão espontânea amplificada. Além do mais, foi também verificado que a emissão espontânea amplificada é menos eficiente nas amostras de pontos quânticos dopados que na não-dopada.

ASSUNTO(S)

dinâmica de portadores ase, ingam fisica pontos quânticos poços quânticos fotoluminiscência

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