"Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs" / Electric transport properties of two-dimensional electron gases near to InAs quantum dots.
AUTOR(ES)
Ivan Ramos Pagnossin
DATA DE PUBLICAÇÃO
2004
RESUMO
Neste trabalho, realizamos medidas sistemáticas dos efeitos Hall e Shubnikov-de Haas em função do tempo de iluminação das amostras a fim de investigar as propriedades de transporte elétrico de um gás bidimensional de elétrons (2DEG) confinado num poço-quântico de GaAs/InGaAs próximo a pontos-quânticos de InAs introduzidos na barreira superior do poço-quântico (GaAs). Nós não observamos qualquer degradação expressiva da mobilidade eletrônica devido a inserção deles na heteroestrutura. Contudo, observamos diferentes variações das mobilidades quânticas de amostra para amostra, as quais atribuimos ao acúmulo da tensão mecânica na camada de InAs. O comportamento das mobilidades quânticas e de transporte são discutidas no contexto da modulação local dos perfís das bandas de condução e de valência pela camada de InAs.
ASSUNTO(S)
fotodetectores quantum dots shubnikov-de haas hall pontos-quânticos shubnikov-de haas fotodetectors hall photoluminescence fotoluminescência
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