Numerical simulation of oxide layer growth during anodic bonding / Simulação de transientes elétricos durante processos de solda anódica

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2006

RESUMO

Este presente trabalho descreve um processo de discretização numérica da equação nãolinear do transporte iônico que rege a camada de depleção para o crescimento do óxido de silício durante a solda eletrostática (solda anódica) silício-vidro (Si-G) na ausência do transporte difusivo com evolução no tempo. A equação da continuidade é resolvida usando uma discretização em diferenças finitas com fronteira móvel, que toma espécies distintas de ânions e cátions no interior do vidro. O oxigênio que alimenta a matriz do silício, também é modelado por uma suposição conveniente sobre a continuidade da carga e sua mobilidade. A partir da suposição que o oxigênio necessário para a solda é suprido da camada de depleção no vidro, os resultados da espessura do óxido de silício aproximaram-se razoavelmente dos valores observados nos processos práticos de soldas. O esquema numérico emprega mobilidades independentes no interior do vidro e do óxido, e pode tratar modelos não-lineares para o campo elétrico.

ASSUNTO(S)

electrostatic bonding depletion boundary conditions condições de contorno solda eletrostática solda anódica método das diferenças finitas finite diference theory camada de depleção computer science anodic debonding

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