Leakage current modeling in sub-micrometer CMOS complex gates / Modelagem de corrente de fugas em portas lógicas CMOS submicrométricas

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2008

RESUMO

Para manter o desempenho a uma tensão de alimentação reduzida, a tensão de threshold e as dimensões dos transistores têm sido reduzidas por décadas. A miniaturização do transistor para tecnologias sub-100nm resulta em um expressivo incremento nas correntes de fuga, tornando-as parte significativa da potencia total, alcançando em muitos casos 30-50% de toda a potencia dissipada em condições normais de operação. Por estas condições, correntes estáticas em células CMOS representam um importante desafio em tecnologias nanométricas, tornando-se um fator crítico no design de circuitos de baixa potência. Isto significa que dissipação de potência estática deve ser considerada o quanto antes no fluxo de projetos de circuitos integrados. Esta tese revisa os principais mecanismos de fuga e algumas técnicas de redução. Também é apresentado um modelo de estimativa rápida da corrente de subthreshold em células lógicas CMOS série - paralelo. Este método é baseado em associações de condutividade elétrica série – paralelo de transistores. Ao combinar com o modelo de estimativa da corrente de fuga de gate baseada nas condições estáticas dos transistores é possível fornecer uma melhor predição da corrente de fuga total em redes de transistores. O modelo de estimativa anterior é rápido porem seu foco não esta na precisão. Um novo e preciso modelo para corrente de fuga de subthreshold e de gate é também apresentado baseado em modelos analíticos simplificados das correntes de fuga. Ao contrario do modelo anterior que era destinado a redes de transistores serie – paralelo, o novo método avalia as correntes de fuga em rede de transistores complexas. A presença de transistores conduzindo em redes de transistores não conduzindo, ignorados em trabalhos anteriores, é também avaliado no trabalho proposto. O novo modelo de corrente de fuga foi validado através de simulações elétricas, considerando processos CMOS 130nm e 90nm, com boa correlação dos resultados, demonstrando a precisão do modelo.

ASSUNTO(S)

cmos leakage current microeletronica low power circuits cmos

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