Interconnections influince upon nanoelectronic integrated circuits performance based on single-electron transistor / Influência das interconexões sobre o desempenho de circuitos integrados nanoeletrônicos baseados em transistores mono-elétron

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2007

RESUMO

As tecnologias básicas adotadas atualmente pela indústria semicondutora para a fabricação de memórias e processadores podem alcançar certos limites que fazem com que novas tecnologias tenham que ser estudadas e desenvolvidas. Os transistores mono-elétron, como outros dispositivos em escala nanométrica, parecem ser uma opção próspera para implementações GSI ou TSI no futuro. O desenvolvimento de arquiteturas de processador GSI e TSI, baseados em dispositivos nanoeletrônicos, está sendo feita atualmente. A abordagem adotada compreende a implementação de um núcleo de processamento extremamente paralelo e distribuído, construído com dispositivos nanoeletrônicos, organizados em células. A investigação destas arquiteturas considerou, até o presente, a utilização de interconexões ideais. Os limites das interconexões potencialmente ameaçam desacelerar ou parar o progresso histórico da indústria semicondutora. Neste trabalho, o desempenho elétrico de associações conhecidas de subcircuitos nanoeletrônicos básicos são estudados com a ajuda de um modelo de interconexão cujos parâmetros podem ser mudados. Os circuitos das associações são simulados com parâmetros do modelo variando de uma interconexão ideal até os piores casos e seus comportamentos dinâmicos são analisados. O objetivo deste estudo é determinar a influência das interconexões sobre o comportamento dos circuitos e estabelecer limites relacionados a interconexões para suas funcionalidade.As possibilidades de implementação usando novas tecnologias de interconexão, como nanotubos de carbono, são também apresentadas.

ASSUNTO(S)

nanoeletrônica interconexão desempenhos de circuitos integrados engenharia eletrica transistor mono-elétron

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