Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico. / Fabrication and characterization of ultrathin MOS gate oxides grown onto flat and stepped surfaces using conventional and pirogenic processes.
AUTOR(ES)
Ricardo de Souza
DATA DE PUBLICAÇÃO
2006
RESUMO
Neste trabalho, investigou-se capacitores MOS fabricados sobre superfícies irregulares contendo formas retangulares periódicas com 100 nm de altura, obtidas a partir de corrosão por plasma localizadas. Os óxidos de porta com 4,5 nm de espessura foram crescidos em ambientes ultrapuros de O2 ou pirogênico a fim de comparar a uniformidade de cobertura sobre os degraus verticais dos perfis retangulares. Foi mostrado que a oxidação pirogênica ou convencional na temperatura de 850 ºC permite obter óxidos de porta sobre degraus com altura de 100nm com baixa corrente de fuga e alto campo de ruptura. Esse comportamento pode ser interpretado como óxidos de porta perfeitamente amoldados sobre os degraus de 100nm de altura. O impacto deste resultado é agora a possibilidade de implementar óxidos de porta para transistores de porta envolvente e FinFETs.
ASSUNTO(S)
dielectric breakdown ruptura dielétrica ultrathin gate oxide mos c-v curve capacitor mos Óxido de porta ultrafino curva c-v capacitor
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