Ultrathin Gate Oxide
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1. Improved Ge surface passivation with ultrathin SiO/sub x/ enabling high-mobility surface channel pMOSFETs featuring a HfSiO/WN gate stack
To realize high-mobility surface channel pMOSFETs on Ge, a 1.6-nm-thick SiOX passivation layer between the bulk Ge substrate and HfSiO gate dielectric was introduced. This approach provides a simple alternative to epitaxial Si deposition followed by selective oxidation and leads to one of the highest peak hole mobilities reported for unstrained surface chann
Publicado em: 2011
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2. Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS / High K gate insulators for MOS technology
High k insulators for the next generation (sub-32 nm CMOS (complementary metaloxide-semiconductor) technology), such as titanium oxide (TiOx), titanium oxynitride (TiOxNy), titanium-aluminum oxynitride (AlxTiwOyNz), titanium-aluminum nitride (AlxTiwNz) and titanium-aluminum oxide (AlxTiwOy), have been obtained by Ti or Ti/Al e-beam evaporation, with addition
Publicado em: 2008
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3. Caracterização elétrica de oxinitretos de silício ultrafinos para porta PMOS obtidos por implantação de nitrogênio na estrutura Si-poli/SiO2/Si. / Electrical characterization of ultrathin silicon oxynitrides for pmos gate obtained by nitrogen implantation in the Si-poli/Si02/Si structure.
Neste trabalho foram fabricados e caracterizados eletricamente capacitores MOS com óxido de silício ultrafino (2,6 nm) com porta de silício policristalino (Si-poli) P+ e N+. Os capacitores MOS com porta de Si-poli dopados com boro tiveram a estrutura Si-poli/SiO2/Si previamente implantada com nitrogênio nas doses de 1.10POT.13, 1.10POT.14, 1.10POT.15e 5.
Publicado em: 2008
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4. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico. / Fabrication and characterization of ultrathin MOS gate oxides grown onto flat and stepped surfaces using conventional and pirogenic processes.
Neste trabalho, investigou-se capacitores MOS fabricados sobre superfícies irregulares contendo formas retangulares periódicas com 100 nm de altura, obtidas a partir de corrosão por plasma localizadas. Os óxidos de porta com 4,5 nm de espessura foram crescidos em ambientes ultrapuros de O2 ou pirogênico a fim de comparar a uniformidade de cobertura sobr
Publicado em: 2006