Estudo da rugosidade eletronica em capacitores MOS nanometricos
AUTOR(ES)
Manoel Cesar Valente Popes
DATA DE PUBLICAÇÃO
2000
RESUMO
ormado.
ASSUNTO(S)
silicio simulação (computadores) transistores dieletricos aspereza de superficie filmes finos
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000223715Documentos Relacionados
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