Efeitos do recozimento tÃrmico nas propriedades fisÃcas e elÃtricas do filme de carbeto de silÃcio.

AUTOR(ES)

Rajab, Samir Munir

DATA DE PUBLICAÇÃO

2005

RESUMO

Este trabalho descreve o estudo de filmes de carbeto de silÃcio (SiC) depositados sobre substratos de silÃcio e carbono vÃtreo por meio de sputtering de um alvo de SiC com pureza de 99,5%, localizado sobre o catodo magnetron de uma descarga de rÃdio-freqÃÃncia do gÃs argÃnio. As deposiÃÃes foram realizadas variando-se a potÃncia entre 100W e 500W, temperatura de substrato entre 100ÂC e 500ÂC e o tempo de deposiÃÃo entre 15min e 60min. Durante as deposiÃÃes a pressÃo de trabalho e a vazÃo argÃnio foram mantidas constantes em 3x10-3 Torr e 45 sccm, respectivamente. Os filmes depositados foram analisados por meio das tÃcnicas de infra-vermelho por transformada de Fourier (FTIR), espectroscopia Raman, Retroespalhamento de Rutherford (RBS), perfilometria e levantamento de curvas de capacitÃncia em funÃÃo da tensÃo (C-V) e condutÃncia em funÃÃo da tensÃo (G-V). As anÃlises FTIR identificaram bandas caracterÃsticas à SiC nos filmes depositados, enquanto que os espectros Raman mostraram bandas correspondentes de SiC, Si, e C amorfos, sendo que em alguns casos houve tendÃncia à cristalizaÃÃo. A anÃlise RBS mostrou que a quantidade de Si e C na maioria dos filmes estÃo muito prÃximos, apontando para filmes estequiomÃtricos, alÃm de detectar impurezas como N e O. A caracterizaÃÃo elÃtrica mostrou, por meio de curvas C-V e G-V, uma significante corrente de fuga na regiÃo de acumulaÃÃo. A fim de se investigar uma maneira de reduzir esta corrente de fuga, parte dos filmes depositados foram submetidos ao processo de recozimento a uma temperatura de 1000ÂC, em atmosfera de nitrogÃnio, durante 60 min. Os resultados indicaram que o processo de recozimento promoveu uma drÃstica reduÃÃo na corrente de fuga.

ASSUNTO(S)

carbureto de silÃcio tratamento tÃrmico carbono espectroscopia raman recozimento (metalurgia) retroespalhamento silÃcio filmes finos propriedades elÃtricas pulverizaÃÃo catÃdica propriedades fÃsicas

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