Efeito da Composição da liga e das interfaces sobre a variação térmica da energia das transições excitônicas em poços quânticos de materiais III-V

AUTOR(ES)

Sidney Alves Lourenço

DATA DE PUBLICAÇÃO

2004

RESUMO

Foi investigada a variação das transições excitônicas na liga ternária AlxGa1-xAs e em poços quânticos de AlxGa1-xAs/GaAs, AlxGa1-xAs/GaAs1-ySby, e GaAs/GaAs1-x-ySbxNy em função da temperatura no intervalo de 2 K a 300 K usando as técnicas ópticas de fotoluminescência e fotorefletância. Analisou-se a contribuição da interação elétron-fônon e da dilatação térmica da rede para a variação da energia de transição excitônica com a temperatura na liga AlxGa1-xAs, a influência da concentração de alumínio na barreira sobre a variação das transições excitônicas com a temperatura em poços quânticos de AlxGa1-xAs/GaAs, e a flutuação do potencial de confinamento (gerados pela desordem de interface e pela desordem composicional de ligas) sobre o comportamento da energia de recombinação excitônica com a temperatura em poços quânticos com diferentes magnitudes das flutuações do potencial de confinamento, AlGaAs/GaAs, AlGaAs/GaAsSb, e GaAs/GaAsSbN. Discutiu-se, ainda, a aplicabilidade dos modelos de ajuste de Varshni, Viña e Pässler à variação das transições excitônicas de materiais semicondutores III-V contendo pequena concentração de nitrogênio, III-V1-x-Nx.

ASSUNTO(S)

semicondutores - propriedades óticas física do estado sólido Ótica optics solid state physics semiconductors - optical properties

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