Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/SiO2/Si3N4 para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au. / Electrical characterization of ISFET devices with Si/SiO2/Si3N4 structure to measure pH using Pt, Ag, and Au pseudoelectrodes.
AUTOR(ES)
Robson Scaff
DATA DE PUBLICAÇÃO
2008
RESUMO
Neste trabalho, foi realizado um estudo da caracterização elétrica dos ISFETs com estrutura Si/SiO2/Si3N4, utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au como alternativas aos eletrodos convencionais para medições de pH. Primeiramente, foram empregados três métodos reportados na literatura (extrapolação linear para obtenção da tensão de limiar, segunda derivada para obtenção da tensão de limiar e corrente de sublimiar, respectivamente) com o objetivo de obter a sensibilidade dos ISFETs (mV/pH) e analisar a confiabilidade dos resultados utilizando eletrodo de referência padrão de Ag/AgCl. Posteriormente, tendo como base o eletrodo de Ag/AgCl, foram estudados os desempenhos de pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au nas medidas de pH. Como resultado, observou-se que os pseudoeletrodos de Pt e Ag apresentaram sensibilidades compatíveis com o eletrodo de referência padrão de Ag/AgCl (~50mV/pH) para pH ácido na faixa de 1 a 3. Já o pseudoeletrodo de Au, manteve um comportamento aproximadamente linear ao longo de toda a faixa de pH estudada (1 a 10), porém, com sensibilidade inferior na faixa de 32 à 34mV/pH.
ASSUNTO(S)
pseudoelectrode ph isfet si3n4 threshold voltage eletroquímica circuitos integrados mos microeletrônica
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