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1. Estruturas de teste para avaliação de variabilidade estatística em MOSFETs sub-100nm / Test structures for statistical variability evaluation on ultra-deep submicron MOSFETs
As variações nas características elétricas de dispositivos MOS são uma preocupação muito importante no projeto, manufatura e operação de circuitos integrados (CIs). Com a redução contínua (escalamento) das dimensões na tecnologia CMOS, variabilidade de processo se tornou um grande problema, afetando o desempenho e o rendimento positivo na produ�
Publicado em: 2010