Transporte Atomico
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1. Reações nucleares de alta energia (" Spallation") e sua aplicação em cálculo de sistemas nucleares acionados por Fonte / High energy nuclear reactions ("Spallation") and their application in calculation of the acceleration driven systems (ADS)
Neste trabalho apresentamos um estudo das reações nucleares de alta energia que são fundamentais na definição do termo fonte dos reatores nucleares subcríticos acionados por fonte externa. Estas reações nucleares, também conhecidas como "spallation", consistem na interação de hádrons de alta energia com os núcleons do núcleo atômico. A fenomen
Publicado em: 2011
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2. Propriedades físico-químicas de estruturas dielétrico/SiC e da camada interfacial formada
Nesta Dissertação, foram investigadas propriedades físico-químicas de estruturas dielétrico/SiC e das camadas interfaciais formadas. Utilizando análises por reação nuclear, verificou-se que a presença de uma camada interfacial de oxicarbetos de silício, gerados durante a oxidação térmica do SiC, e não removidos através de ataque químico por v
Publicado em: 2009
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3. Modelagem tridimensional de reator de filamento quente para crescimento de diamante / Three-dimensional modeling of hot filament reactor for diamond growth
O filamento quente é parte primordial no processo de crescimento de filmes de diamante utilizando reatores de deposição química a vapor assistidos por filamento quente. Desta maneira, realizou-se o estudo da eficiência energética de filamentos de diferentes diâmetros, localizados a diferentes distâncias do substrato. Para a realização deste estudo
Publicado em: 2009
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4. Modelagem tridimensional de reator de filamento quente para crescimento de diamante / Three-dimensional modeling of hot filament reactor for diamond growth
O filamento quente é parte primordial no processo de crescimento de filmes de diamante utilizando reatores de deposição química a vapor assistidos por filamento quente. Desta maneira, realizou-se o estudo da eficiência energética de filamentos de diferentes diâmetros, localizados a diferentes distâncias do substrato. Para a realização deste estudo
Publicado em: 2009
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5. Passivação da superfície do Germânio visando ao uso da nanoeletrônica
Investigamos a passivação superficial do Germânio visando ao uso em Nanoeletrônica, que requer: (i) preparação de uma superfície plana e isenta de contaminantes e (ii) crescimento ou deposição de um dielétrico termodinamicamente estável em contato com o substrato nos ambientes e temperaturas usuais na fabricação de dispositivos. Na primeira etap
Publicado em: 2009
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6. Estabilização de nanoestruturas dielétricas de alta permissividade por incorporação de nitrogênio
Atualmente os candidatos mais prováveis para aplicação como dielétrico de porta nas próximas gerações de dispositivos MOSFET são os filmes de silicato e aluminato metálicos com nitrogênio em sua composição. Neste trabalho são investigados filmes de oxinitreto de háfnio e silício (HfSixOyNz), oxinitreto de alumínio (AlOxNy), e oxinitreto de la
Publicado em: 2008
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7. Transporte atômico e reação química em nanoestruturas TiN e TiN/Ti em aço nitretado a plasma
The use of cutting tools in progressively more severe conditions in the metal-mechanics industry and the requirement to increase tool life against friction, wear and high temperature corrosion made of surface treatments an important protection method. One of the most modern treatments is the so-called duplex, that consists of plasma nitriding and deposition
Publicado em: 2008
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8. Transporte atômico e estabilidade em dielétricos alternativos para a tecnologia do Si
Esta tese trata do estudo experimental de fenômenos de transporte atômico e reação química em filmes ultra-finos dielétricos sobre Si. Esses dielétricos são materiais alternativos ao óxido de silício utilizado em dispositivos basedos na estrutura metal-óxido-semicondutor. Foram investigados os seguintes materiais: silicato e aluminato de háfnio,
Publicado em: 2007
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9. Estudo experimental de filmes ultrafinos de oxinitretos de silício por substituição isotópica e perfilometria com resolução subnanométrica
Traçagem isotópica foi usada para investigar o transporte atômico durante o crescimento térmico de filmes de oxinitreto de silício em lâminas de silício previamente implantadas com íons de nitrogênio a energias muito baixas, na faixa de 1/30 até 1 monocamada, e durante a etapa final de fabricação de filmes ultrafinos de óxido/nitreto/óxido sobr
Publicado em: 2007
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10. Transporte atômico e incorporação de oxigênio em filmes de HfSiO e HfSiON depositados sobre Si
Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são candidatos a substituir o óxido de silício como dielétrico de porta em dispositivos do tipo transistor de efeito de campo metal-óxid
Publicado em: 2007
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11. Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si
O presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo método de deposição química de organometálicos na fase vapor (MOCVD) sobre Si, contendo uma camada interfacial oxinitretada em
Publicado em: 2007
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12. Structural effects on quantization of metallic nanowires conductance / Efeitos estruturais na quantização da condutancia de nanofios metalicos
O estudo de fios metálicos de tamanho atômico (NF´s) tem atraído grande interesse devido aos novos efeitos químicos e físicos neles observados. Entre esses novos fenômenos podemos destacar a quantização da condutância, efeito que deve ser fundamental no desenho dos novos nanodispositivos eletrônicos. NF´s são usualmente gerados através de um pr
Publicado em: 2007