Transistores De Efeito De Campo De Semicondutores De Oxido Metalico
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1. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010
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2. Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS / Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS
Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de 80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionais.
Publicado em: 2008
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3. Projeto e construção de uma porta universal CMOS em logica ternaria
In this work we developed a universal gate in temary logic through Post algebra; using this gate we could develop some well known circuits from binary logic like Flip-Flops and Adders. These circuits were simulated using Spice and the Lay-Out was developed using tools like Tanner and L YS; to construct the integrated circuit we use a foundry that we already
Publicado em: 2001