Transistores De Efeito De Campo De Semicondutor De Metal
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1. Transistor de efeito de campo (FET) para detecção quimica e bioquimica utilizando dieletrico de porta constituido de camada empilhada SiNx/SiOxNy / Field effect transistors (FET) with dielectric gate made of a stacked layer SiNx/SiOxNy for chemical and biochemical detection
Esta dissertação consiste de duas etapas. Inicialmente são estudados filmes de nitreto de silício depositados por LPCVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition, utilizando-se diferentes relações de concentração de gases reagentes, [SiH2Cl2]/[NH3], e utilizando-se como substrato lâminas de silício tipo p, com e sem camada almofada de oxinitreto de s
Publicado em: 2009
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2. Físico-química do hidrogênio em óxidos e silicatos de háfnio para aplicação como dielétrico de porta
Após quatro décadas de sucesso do SiO2 (e SiOxNy), as novas gerações de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor utilizarão dielétricos de porta de materiais alternativos, dentre os quais se destacam o óxido (HfO2) e os silicatos de háfnio (HfSixOy). Para implementar esses novos dielétricos, é crucial controlar seus defeitos, em pa
Publicado em: 2008
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3. Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma / Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulato
Publicado em: 2007
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4. Transporte atômico e estabilidade em dielétricos alternativos para a tecnologia do Si
Esta tese trata do estudo experimental de fenômenos de transporte atômico e reação química em filmes ultra-finos dielétricos sobre Si. Esses dielétricos são materiais alternativos ao óxido de silício utilizado em dispositivos basedos na estrutura metal-óxido-semicondutor. Foram investigados os seguintes materiais: silicato e aluminato de háfnio,
Publicado em: 2007
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5. Filmes finos dielétricos para dispositivos microeletrônicos avançados
Apresentamos mecanismos de formação e de degradação térmica de filmes fi- nos (espessura da ordem de 10 nm) de diferentes dielétricos sobre substrato de silício monocristalino. Tendo em vista a aplicação dessas estruturas em MOSFETs (transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), estudamos o consagrado óxido de silício (SiO2), os atua
Publicado em: 2007
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6. Processos termicos rapidos RTO / RTA para fabricação de dispositivos MOS / Rapid thermal process RTO / RTA for MOS devices fabrication
Filmes ultra-finos e finos de óxido de silício (SiO2) foram obtidos por oxidação (RTO) e recozimento (RTA) térmicos rápidos, usando diferentes temperaturas de 600, 700, 800 e 960oC por 40s, em ambiente de oxigênio e de nitrogênio, respectivamente. A caracterização por elipsometria (para índice de refração fixo de 1.46), por microscopia eletrôni
Publicado em: 2005
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7. Obtenção de filmes finos de oxidos semicondutores ternarios de banda larga pelo processo de decomposição de precursores metalorganicos
Neste trabalho, o processo de Decomposição de Precursores Metalorgânicos (MOD) foi utilizado na preparação de sólidos policristalinos e filmes finos de óxidos ternários do tipo Cd2SnO4 e Cd2M2O7 (M = Sb e Nb). Esses óxidos são chamados de semicondutores de banda larga e apresentam, simultaneamente, duas propriedades de interesse científico e tecno
Publicado em: 2002
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8. Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet
Tungsten Nitride (WN) and Aluminum Nitride (AlN) thin films were deposited by DC sputtering in Nitrogen ambi~nt and characterized in this work. Gallium Arsenide Schottky diodes were used in the characterization of WN films. The diodes were subject to thermal treatments to study the thermal stability of the contacts, as in the fabrication process of MESFET tr
Publicado em: 2000
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9. Uma contribuição ao projeto de CI s com MESFET em GaAs
The intent of the thesis. "A Contribution to Integrated Circuit Projects With GaAs MESFET", is to obtain a relationship between the Research on Devices laboratory (lPD) GaAs process and the integrated circuits develop using this process. The LPD develops integrated circuits using the "Rapid Thermal Diffusion of Sulphur in GaAs". The SPICE parameters of the G
Publicado em: 1993