Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication

As heterojunções de SiC em isolante, conhecidas como SiCOI (SiC-on-insulator), ao combinar as vantagens do SiC e do substrato de Si mostram-se interessantes para aplicações em altas temperaturas, alta potência, altas freqüências, sensores inteligentes, e aplicações micro-mecânicas. Neste trabalho pesquisamos as propriedades de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H) depositado por PECVD em substratos de silício e silício coberto por uma camada isolante, antes e após o recozimento térmico para a cristalização do filme. Devido a seu grande interesse e...