Spintronics
Mostrando 1-12 de 21 artigos, teses e dissertações.
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1. Ferromagnetismo no regime Hall quântico inteiro via teoria do funcional de densidade / Quantum Hall ferromagnetism via density functional theory
O efeito Hall quântico surge em gases de elétrons bidimensionais (2DEG) na presença de altos campos magnéticos B. O campo magnético quantiza o movimento planar dos elétrons em órbitas ciclotrônicas caracterizadas pelos níveis de Landau. Neste regime a resistividade transversal (ou Hall) ρxy em função de B exibe platôs em submúltiplos inteiro
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/06/2011
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2. Propriedades magneto-óticas e de magneto-transporte de um diodo de tunelamento ressonante contendo Si δ - doping no poço quântico
In this work, we have studied the transport and optical properties of GaAs = AlGaAs resonant tunneling diodes with Si delta-doping at the center of the quantum well. We have studied magneto-transport and polarized resolved photoluminescence from GaAs quantum well and contact layers as a function of applied voltage and magnetic _eld parallel to the tunnel cur
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/03/2011
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3. Transições ópticas em heteroestruturas semicondutoras Zincblende com duas sub-bandas / Optical transitions in Zincblende semiconductors heterostructures with two sub-bands
Apresento neste trabalho uma derivação alternativa da hamiltoniana efetiva para um elétron na banda de condução de uma heteroestrutura semicondutora de rede Zincblende. Partindo do modelo de Kane 8 × 8 e da aproximação das funções envelope, esta hamiltoniana efetiva foi obtida com a linearização dos denominadores (dependentes das autoenergias) pr
Publicado em: 2011
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4. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy
Publicado em: 2010
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5. Analisys of the atomic orbitals spin information in the calculation of semiconductors strucutures properties / Análise da informação do spin dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades de estruturas semicondutoras
O presente trabalho é um estudo sobre a importância da informação dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades optoeletrônicas de heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade. O trabalho é dividido em duas partes: na primeira parte, é estudada a simetria de reversão temporal no hamiltoniano k . p, analisando a preservação da info
Publicado em: 2010
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6. Relaxação do spin em poços quânticos de InGaAs/GaAs dopados com Mn / Spin relaxation of electrons in InGaAs/GaAs quantum wells Mn-doped barriers
Nesta dissertação investigamos os efeitos dos íons de Mn na dinâmica do spin de elétron em poços quânticos de InGaAs/GaAs. Os poços têm um gás de buracos gerado por dopagens em suas barreiras, sendo uma dopagem tipo delta de Mn numa das barreiras e uma dopagem tipo delta de C, na outra. A densidade de buracos foi determinada mediante medidas de tra
Publicado em: 2010
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7. Síntese e caracterização de filmes à base de Si e Ge dopados com espécies magnéticas / Synthesis and characterization of Si and Ge based films doped with magnetic species
Along the last few years, the doping of semiconductors (either II-VI, IV-VI, III-V, and group-IV compounds) with magnetic species have been extensively studied due to their potential applications in spintronics. Among them, Si- and Ge-based magnetic semiconductors are very attractive because of their total compatibility with the well-established current semi
Publicado em: 2010
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8. Efeitos da modulação de interferência quântica nas propriedades de transporte eletrônico em nanofitas armchair de Grafeno: Pseudo-spintrônica e análogo relativístico de Klein / Modulation effects of quantum interference in the electronic transport properties of armchair graphene nanoribbons: Pseudo-spintronics and Kleins similar relativistic
No presente trabalho, temos estudado o transporte eletrônico quântico em fitas de grafeno com bordas tipo armchair (FGA). Estas fitas são caracterizadas por apresentar um comportamento semicondutor ou metálico segum a largura que adote. A presença de uma barreira de potencial na FGA gera um deslocamento da estrutura de banda na região do potencial, pos
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/11/2009
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9. Caracterização estrutural, morfológica e magnética da dupla perovsquita Ca2MnReO6
Compounds with structure of ordered double perovskyte, A2BBO6 (A being an alkalineearth and B being a transition-metal in alternate sites) have attracted interest of the researches because their strong correlated structural and magnetic properties. Moreover, they are suitable candidates to produce devices with great application in spin-electronic, named spin
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/06/2009
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10. Efeito Hall de spin em poços quânticos com acoplamento spin-órbita inter-subbanda / Spin Hall effect in quantum wells with intersubband spin-orbit coupling
A partir da teoria de resposta linear (formalismo de Kubo) calculamos a condutividade de spin $\sigma_^$ para um gás bidimensional de elétrons formado num poço quântico com duas subbandas devido a atuação de um novo tipo de interação spin-órbita [Bernardes et al. \textit{Phys. Rev. Lett.} \textbf, 076603 (2007) \&Calsaverini \textit{et al}. \textit{
Publicado em: 2009
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11. Studies on the electrical and magnetic proprieties of GaMnAs nanostructure for use in spintronics / Estudos de propriedades elétricas e magnéticas em nanoestruturas de GaMnAs de uso em spintrônica
Um estudo da interação entre desordem e polarização de spin no GaMnAs ajuda a compreender a natureza dos estados, estendidos ou localizados, bem como as consequências para as transições observadas sobre as propriedades de transporte e às mudanças na ordem magnética de momentos magnéticos localizados em sítios de Mn. Este estudo pressupõe a ocorr
Publicado em: 2009
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12. Inter-subband spin-orbit coupling in semiconductor heterostructures / Acoplamento spin-órbita inter-subbanda em heteroestruturas semicondutoras
Neste trabalho apresentamos a determinação autoconsistente da constante de interação spin-órbita em heteroestruturas com duas sub-bandas. Como recentemente proposto, ao obter o hamiltoneano de um sistema com duas sub-bandas na aproximação de massa efetiva, constata-se a presença de um acoplamento inter-subbanda que não se anula mesmo em heteroestrut
Publicado em: 2007